[發明專利]一種壓電晶體噴油器驅動電路在審
| 申請號： | 201911037135.4 | 申請日： | 2019-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN112746920A | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發明（設計）人： | 楊洋 | 申請（專利權）人： | 卓品智能科技無錫有限公司 |
| 主分類號： | F02M51/06 | 分類號： | F02M51/06;F02D41/20 |
| 代理公司： | 無錫市朗高知識產權代理有限公司 32262 | 代理人： | 賈傳美;趙華 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 壓電 晶體 噴油器 驅動 電路 | ||
1.一種壓電晶體噴油器驅動電路，其特征在于：包括：壓電晶體充電電路，所述壓電晶體充電電路包括：預驅芯片、升壓預驅芯片、MOS管Q1、MOS管Q2、壓電晶體等效負載C和采樣電阻R1，預驅芯片I/O接口接單片機，預驅芯片的輸出口接MOS管Q2的G極，預驅芯片輸出口與升壓預驅芯片連接，實現升壓，升壓預驅芯片輸出口接MOS管Q1的G極，MOS管Q1的S極信號接入壓電晶體等效負載C，壓電晶體等效負載C的另一端接MOS管Q2的D極，MOS管Q2的S極接采樣電阻R1，采樣電阻R1的另一端接地，采樣電阻R1的兩端還經過導線接入預驅芯片的輸入口。
2.根據權利要求1所述的一種壓電晶體噴油器驅動電路，其特征在于：MOS管Q1為高邊驅動MOS管，接入升壓預驅芯片的輸出端，MOS管Q1的S極經過電感L后接壓電晶體等效負載C。
3.根據權利要求1所述的一種壓電晶體噴油器驅動電路，其特征在于：MOS管Q2為低邊驅動MOS管，接入預驅芯片的輸出端。
4.根據權利要求2或3所述的一種壓電晶體噴油器驅動電路，其特征在于：升壓預驅芯片采用IRS2101，預驅芯片采用MC33816。
5.根據權利要求4所述的一種壓電晶體噴油器驅動電路，其特征在于：還包括壓電晶體放電電路，所述壓電晶體放電電路包括：預驅芯片、MOS管Q3、MOS管Q2、壓電晶體等效負載C和采樣電阻R2，預驅芯片I/O接口接單片機，預驅芯片的輸出口接MOS管Q3的G極、MOS管Q2的G極，MOS管Q3的S極接采樣電阻R2，采樣電阻R2的兩端還經過導線接入預驅芯片的輸入口；MOS管Q3的D極信號接入壓電晶體等效負載C，壓電晶體等效負載C的另一端接MOS管Q2的D極，MOS管Q2的S極接地。
6.根據權利要求5所述的一種壓電晶體噴油器驅動電路，其特征在于：MOS管Q3為低邊驅動MOS管，接入預驅芯片的輸出端，MOS管Q1的S極經過電感L后接壓電晶體等效負載C。
7.根據權利要求5所述的一種壓電晶體噴油器驅動電路，其特征在于：MOS管Q2為低邊驅動MOS管，G極接入預驅芯片的輸出端。
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