[發明專利]一種磁控濺射機臺

有效

• 申請號: 201911037058.2
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN112725747B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 佘鵬程;胡凡;陳慶廣;范江華;彭浩
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 徐好

本發明公開了一種磁控濺射機臺，包括緩存腔、傳送腔、以及設于緩存腔和傳送腔之間的過渡腔，所述過渡腔內設有冷卻臺以及與冷卻臺同軸布置的雙層片架，過渡腔靠近緩存腔和傳送腔的側壁上均設有傳片通道，所述傳片通道的高度大于冷卻臺臺面的高度，所述雙層片架連接有升降驅動機構，所述升降驅動機構與所述過渡腔之間密封配合。本發明具有結構簡單、成本低，能夠實現緩存腔和傳送腔之間的互聯，并保證傳送效率等優點。

技術領域

本發明涉及磁控濺射鍍膜設備，尤其涉及一種磁控濺射機臺。

背景技術

隨著薄膜器件性能的不斷提升，線寬越來越小，對磁控濺射膜層的要求也越來越高，尤其是大規模集成電路芯片的制程中，對工藝真空和工藝膜層數量也提出了更高的要求。目前行業內大規模集成電路芯片廠家的磁控濺射設備絕大多數采用的機臺主體框架為雙腔結構，包括一個緩存腔和一個傳送腔，兩個腔體均可外掛若干腔體，緩存腔和傳送腔之間配置有兩個過渡腔，一左一右布局，左邊的過渡腔用于從緩存腔至傳送腔的基片傳遞，右邊的過渡腔用于從傳送腔至緩存腔的基片傳遞。緩存腔、傳送腔及兩個過渡腔采用一體鋁錠加工成型，各腔體之間采用閥門隔離，實現從緩存腔至傳送腔的梯度真空布局，最終提高安裝在傳送腔內的工藝腔的極限真空水平。該布局優勢明顯：工藝腔極限真空水平高，且兩個過渡腔單獨工作，傳送效率高。缺陷在于：由于緩存腔、傳送腔及兩個過渡腔一體加工成型，加工難度高，導致成本昂貴。

發明內容

本發明要解決的技術問題是克服現有技術的不足，提供一種結構簡單、成本低，能夠實現緩存腔和傳送腔之間的互聯，并保證傳送效率的磁控濺射機臺。

為解決上述技術問題，本發明采用以下技術方案：

一種磁控濺射機臺，包括緩存腔、傳送腔、以及設于緩存腔和傳送腔之間的過渡腔，所述過渡腔內設有冷卻臺以及與冷卻臺同軸布置的雙層片架，過渡腔靠近緩存腔和傳送腔的側壁上均設有傳片通道，所述傳片通道的高度大于冷卻臺臺面的高度，所述雙層片架連接有升降驅動機構，所述升降驅動機構與所述過渡腔之間密封配合。

作為上述技術方案的進一步改進：所述雙層片架包括環形支架、多個片托以及多個安裝座，所述環形支架設于所述冷卻臺外周，所述升降驅動機構與環形支架相連，多個所述安裝座沿環形支架的圓周方向布置，多個所述片托一一對應的安裝于多個安裝座上，片托上設有上層水平承托部和下層水平承托部，所述冷卻臺側壁上與片托對應處設有避讓槽。

作為上述技術方案的進一步改進：所述上層水平承托部配設有上層傾斜引導部，所述下層水平承托部配設有下層傾斜引導部。

作為上述技術方案的進一步改進：所述安裝座上設有沿環形支架徑向布置的滑槽，所述片托設于所述滑槽內。

作為上述技術方案的進一步改進：所述過渡腔內設有大圓弧部、小圓弧部、以及用于連接大圓弧部和小圓弧部的過渡部，所述大圓弧部和小圓弧部相對布置，所述冷卻臺位于大圓弧部內，所述升降驅動機構與雙層片架位于小圓弧部內的一側相連。

作為上述技術方案的進一步改進：所述過渡腔上設有透明頂蓋。

與現有技術相比，本發明的優點在于：本發明公開的磁控濺射機臺，在緩存腔和傳送腔之間僅設置一個過渡腔，過渡腔內設置冷卻臺以及與冷卻臺同軸布置的雙層片架，雙層片架通過升降驅動機構實現升降，過渡腔側壁上設置傳片通道，可實現基片兩個方向單獨傳送，可以在上層有片時進行下層的取放片操作，也可以在冷卻臺有片時進行上層的傳片操作，互不干涉，在具備設備所必需的功能條件下，簡化了結構，降低了設備的加工難度，節約了成本。

附圖說明

圖1是本發明磁控濺射機臺的立體結構示意圖。

圖2是本發明中的雙層片架的立體結構示意圖。

圖3是本發明中的片托的立體結構示意圖。

圖4是本發明中的過渡腔的立體結構示意圖。