[發明專利]一種帶有微隔腔的半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201911036792.7
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN111199926B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: 徐志偉;高會言;厲敏;李娜雨;張梓江;王紹剛;宋春毅
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/522;H01L23/552
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 賈玉霞

1.一種帶有微隔腔的半導體封裝結構，其特征在于，所述的半導體封裝結構包括多通道或多模塊的半導體芯片、導熱基板、固定填充物、金屬焊球、層壓電路板，所述的導熱基板上形成略大于芯片的長方形凹槽，在其側壁和頂面加入固定填充物用于半導體芯片和導熱基板的粘接，所述的半導體芯片采用倒片擺放的方式粘接在所述的導熱基板的腔體中，所述的半導體芯片焊盤方向向下連接所述的金屬焊球，所述的金屬焊球另一側連接層壓電路板，所述的層壓電路板包括金屬布線層M1、M2、……、Mn、介質層IMD1、IMD2、……、IMD(n-1)、連接不同金屬布線層的過孔，相鄰的金屬布線層由介質層隔開，任意兩層或多層金屬布線層之間均通過過孔相連；

所述的多通道或多模塊芯片的焊盤連接金屬焊球，并與層壓電路頂層的金屬布線層M1相連；在芯片上按照通道或模塊的不同劃分成不同的區域，形成通道或模塊1、通道或模塊2、……、通道或模塊n；在每個區域的周圍邊界上緊密排布金屬焊球，由此芯片、金屬焊球和層壓電路板形成有效降低通道間或模塊間電磁耦合的微隔腔結構。

2.根據權利要求1所述的一種帶有微隔腔的半導體封裝結構，其特征在于，所述的介質層由兩種不同材料的介質層組成，由介質一形成的介質層和由介質二形成的介質層相間排列，層壓電路板的頂層和底層的材料為介質一，在由介質一形成的介質層內部或表面形成金屬布線層，在由介質二形成的介質層內部不形成金屬布線層。

3.根據權利要求1所述的一種帶有微隔腔的半導體封裝結構，其特征在于，所述的金屬布線層材料為銅，所述的金屬焊球材料為銅錫銀合金。