[發明專利]CEM組件和電子倍增設備在審
申請號: | 201911036557.X | 申請日: | 2019-10-29 |
公開(公告)號: | CN111128669A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
發明(設計)人: | 遠藤剛志;小林浩之 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
主分類號: | H01J43/04 | 分類號: | H01J43/04;H01J43/30 |
代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;黃浩 |
地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | cem 組件 電子 倍增 設備 | ||
1.一種CEM組件,其特征在于,包括:
通道型電子倍增體,其具有:倍增通道,其包含獲取帶電粒子的輸入端、放出二次電子的輸出端和從所述輸入端向所述輸出端連續設置的二次電子放出層;以與所述二次電子放出層接觸的狀態設置在所述輸入端的輸入電極;和以與所述二次電子放出層接觸的狀態設置在所述輸出端的輸出電極;和
用于向所述輸入電極與所述輸出電極之間施加規定的電壓的電壓供給電路,
所述電壓供給電路具有:
被設定為第一基準電位的第一端子;
與所述輸入電極連接的第二端子;
與所述輸出電極連接的第三端子;
被設定為第二基準電位的第四端子;
配置在所述第一端子與所述第二端子之間的電源部,其產生用于確保所述第一端子與經所述第二端子被設定為與所述輸入電極同電位的輸入側基準節點之間的電位差的電動勢;和
配置在所述第三端子與所述第四端子之間的、保持用于對所述輸出電極的電位進行調整的目標電位的恒定電壓發生部,其包含:位于所述第三端子與所述第四端子之間并且被設定為所述目標電位的輸出側基準節點;和產生用于確保所述第四端子與所述輸出側基準節點之間的電位差的電壓下降的恒定電壓供給部。
2.如權利要求1所述的CEM組件,其特征在于:
所述恒定電壓發生部還包括:
配置在所述輸入側基準節點與所述輸出側基準節點之間的第一電阻;和
經所述第三端子消除所述輸出電極與所述輸出側基準節點的電位差的電位固定元件。
3.如權利要求2所述的CEM組件,其特征在于:
所述恒定電壓供給部包含配置在所述輸出側基準節點與所述第四端子之間的第二電阻。
4.如權利要求3所述的CEM組件,其特征在于:
所述第一電阻的電阻值高于所述第二電阻的電阻值。
5.如權利要求3或4所述的CEM組件,其特征在于:
所述第一電阻與所述第二電阻的電阻比落入100比1至2比1的范圍內。
6.如權利要求2所述的CEM組件,其特征在于:
所述恒定電壓供給部包含配置在所述輸出側基準節點與所述第四端子之間的齊納二極管。
7.如權利要求2至6中任一項所述的CEM組件,其特征在于:
所述電位固定元件包含MOS晶體管、FET和雙極晶體管中的任一者。
8.如權利要求1所述的CEM組件,其特征在于:
所述恒定電壓供給部包含在所述輸出側基準節點與所述第四端子之間串聯連接的1個或其以上的IC單元,所述IC單元各自具有:分路調節器IC;和在所述分路調節器IC的輸入端與輸出端之間以規定的電阻比串聯連接的第三電阻和第四電阻。
9.如權利要求1至8中任一項所述的CEM組件,其特征在于:
所述倍增通道還包含:支承所述二次電子放出層的由絕緣材料構成的構造體;和設置在所述二次電子放出層與所述構造體之間的電阻膜。
10.如權利要求9所述的CEM組件,其特征在于:
所述絕緣材料由除鉛玻璃之外的玻璃或陶瓷構成。
11.如權利要求1至10中任一項所述的CEM組件,其特征在于:
位于所述輸入電極與所述輸出電極之間的所述倍增通道的電阻值小于10MΩ。
12.一種電子倍增設備,其特征在于,包括:
權利要求1至11中任一項所述的CEM組件;和
陽極,其以面對構成所述CEM組件的一部分的所述通道型電子倍增體的所述輸出端的方式配置。
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