[發明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201911036456.2
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN110854134B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 朱茂霞;徐洪遠
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S10、提供基板，依次制備第一金屬層、絕緣層、半導體層、導通層、以及第二金屬層于所述基板上；

S20、形成光阻層于所述第二金屬層上，并且覆蓋部分所述第二金屬層，其中，所述光阻層具有凸起部對應所述第一金屬層；

S30、依次去除未被所述光阻層覆蓋的所述第二金屬層、所述導通層、所述半導體層與所述絕緣層，以及去除所述凸起部以外的所述光阻層以暴露出部分所述第二金屬層的上表面；

S40、去除未被所述凸起部覆蓋的部分所述第二金屬層以及對應的所述導通層，且剩余的所述第二金屬層形成漏極；

S50、去除部分未被所述凸起部覆蓋的所述半導體層，以暴露部分所述絕緣層，且剩余的所述半導體層形成有源層；

S60、去除部分所述凸起部，且所述有源層對所述基板的投影范圍大于并完全涵蓋剩余所述凸起部對所述基板的投影范圍；

S70、制備電極層于剩余的所述凸起部、所述有源層的側壁和部分上表面、以及所述絕緣層上；

S80、去除所述凸起部，并對所述有源層進行圖案化，以形成溝道；以及

S90、對所述電極層進行圖案化，以形成源極和像素電極，并制備鈍化層覆蓋所述有源層、所述源極、所述漏極以及所述像素電極，以形成所述陣列基板。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述步驟S10中，所述第一金屬層具有圖案，且所述絕緣層、所述半導體層、所述導通層、以及所述第二金屬層依次保形地形成于所述基板上。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S40還包括去除所述凸起部下方的部分所述第二金屬層以及對應的所述導通層。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述步驟S60中，所述有源層對所述基板的投影范圍大于并完全涵蓋所述漏極或剩余的所述導通層對所述基板的投影范圍。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括四道光罩工藝，其中包括：

在所述步驟S10中，使用第一道光罩于所述第一金屬層上，以形成柵極以及金屬走線；

在所述步驟S20、S30、S40以及S50中，使用第二道光罩依次去除所述第二金屬層、所述導通層、所述半導體層，以形成所述漏極以及所述有源層；

在所述步驟S60、S70以及S80中，使用第三道光罩于所述有源層上，以形成所述溝道；以及

在所述步驟S90中，使用第四道光罩于所述電極層上，以形成所述源極以及所述像素電極。

6.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述導通層以及所述電極層的材料各自獨立地包括：氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅或鋁摻雜的氧化鋅材料。

7.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基板；

第一金屬層，設置于所述基板上，且所述第一金屬層包括柵極以及金屬走線；

絕緣層，設置于所述第一金屬層上，并包覆所述柵極，其中所述絕緣層對應所述金屬走線的區域設置有過孔；

有源層，設置于所述絕緣層上，且所述有源層上設置有溝道；

導通層，設于所述有源層上且覆蓋所述溝道一側的部分所述有源層；

第二金屬層，包括漏極，所述漏極設于所述導通層上且覆蓋所述導通層；

電極層，包括源極和像素電極，所述源極覆蓋所述溝道另一側的所述有源層和部分所述絕緣層，所述像素電極覆蓋部分所述絕緣層且通過所述過孔與所述金屬走線搭接；以及

鈍化層，覆蓋所述有源層、所述源極、所述漏極以及所述像素電極。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述導通層、所述源極以及所述像素電極的材料各自獨立地包括：氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅或鋁摻雜的氧化鋅材料。

9.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述溝道的長度小于2微米。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求7至9任一項所述的陣列基板。