[發明專利]太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201911036409.8
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN112820793A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 李兵;鄧偉偉
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0288;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 胡彭年

1.一種太陽能電池，包括半導體基片與金屬電極，其特征在于：所述太陽能電池還包括依次層疊設置在所述半導體基片一側表面的隧穿層、摻雜多晶硅層、減反射層，所述摻雜多晶硅層具有第一部分與第二部分，所述第一部分的摻雜濃度大于第二部分的摻雜濃度，所述金屬電極穿透所述減反射層并與所述第一部分相接觸。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述第一部分的摻雜濃度為1E20～2E20cm^-3；所述第二部分的摻雜濃度為2E19～8E19cm^-3。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述摻雜多晶硅層的厚度設置為40～300nm。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述隧穿層設置為氧化硅膜或氮氧化硅膜或由氧化硅膜與氮氧化硅膜兩者相互層疊得到的復合膜，所述隧穿層的厚度設置為0.5～3nm。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池，其特征在于：所述隧穿層的厚度設置為1～2nm。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述減反射層包括第一減反射膜層、層疊設置在第一減反射膜層背離所述半導體基片一側表面上的第二減反射膜層，所述第一減反射膜層的厚度小于第二減反射膜層的厚度，且所述第一減反射膜層的折射率大于第二減反射膜層的折射率。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述太陽能電池設置為雙面電池；所述隧穿層、摻雜多晶硅層、減反射層依次層疊設置在所述半導體基片的背面。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于：所述半導體基片的正面形成有擴散層，所述太陽能電池還包括層疊設置在所述擴散層表面的正面鈍化層、正面減反射層以及貫穿所述正面鈍化層、正面減反射層并與所述擴散層相接觸的正面電極。

9.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于：所述擴散層包括位于所述正面電極下的重擴區、位于所述重擴區旁側的輕擴區，所述重擴區的方阻設置為30～90ohm/squ，所述輕擴區的方阻設置為110～150ohm/squ。

10.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于：所述正面鈍化層設置為Al₂O₃膜層，所述Al₂O₃膜層的厚度設置為3～10nm。

11.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于：所述半導體基片為N型硅片，且所述半導體基片的電阻率設置為0.5～6Ω·cm。

12.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于：

在半導體基片的一側表面制備隧穿層；

在所述隧穿層表面沉積制得多晶硅膜層，再對多晶硅膜層進行局部摻雜得到摻雜多晶硅層；

在所述摻雜多晶硅層表面制備減反射層；

制備金屬電極，所述金屬電極穿透所述減反射層并與所述摻雜多晶硅層相接觸。

13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于：所述“對多晶硅膜層進行局部摻雜得到摻雜多晶硅層”，包括在所述多晶硅膜層的局部表面設置固態源，加熱擴散得到摻雜多晶硅層。

14.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于：所述固態源采用Al(PO₃)₃，所述“加熱擴散得到摻雜多晶硅層”過程的反應溫度設置為800～950℃。