[發(fā)明專利]一種電磁推力發(fā)射裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911036168.7 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN110793388A | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 白向華;宋瑞亮;張?zhí)煲?/a>;趙其進;尚菲菲;陳春林;路磊 | 申請(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍陸軍裝甲兵學(xué)院 |
| 主分類號: | F41B6/00 | 分類號: | F41B6/00 |
| 代理公司: | 11543 北京八月瓜知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 李斌 |
| 地址: | 100072 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 軌道 電樞 彈丸 發(fā)射裝置 電源 電磁推力 電磁力 燒蝕 電流產(chǎn)生磁場 高功率脈沖 滑動電接觸 串聯(lián)回路 回路供電 金屬制成 開關(guān)閉合 使用壽命 超高速 滑動 磁場 絕緣 平行 | ||
本發(fā)明涉及一種電磁推力發(fā)射裝置。裝置包括:第一軌道;第二軌道,第一軌道和第二軌道相互平行和絕緣,并且由金屬制成;電樞,電樞位于第一軌道和第二軌道之間且可沿其滑動并與第一軌道和第二軌道滑動電接觸;彈丸,彈丸由電樞推動;高功率脈沖電源;以及開關(guān);第一軌道和第二軌道和電樞以及開關(guān)、電源構(gòu)成串聯(lián)回路,當開關(guān)閉合時,電源向回路供電,在回路中通過第一軌道和第二軌道的電流產(chǎn)生磁場,流過電樞的電流在該磁場的作用下形成電磁力,該電磁力加速電樞和彈丸到超高速。本發(fā)明解決了電磁推力發(fā)射裝置軌道的嚴重?zé)g的問題,使得降低對電樞和軌道的燒蝕,提高了軌道的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電磁軌道技術(shù)領(lǐng)域,具體地涉及一種電磁推力發(fā)射裝置。
背景技術(shù)
目前,電磁軌道炮概念提出已久,但多年來一直處于試驗階段未投入實際使用,這是因為電磁軌道炮還有一些問題沒有得到很好的解決,其中一個便是彈體發(fā)射過程中系統(tǒng)會產(chǎn)生大量的熱量,對軌道造成燒蝕磨損甚至失效,嚴重影響材料的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種電磁推力發(fā)射裝置,解決了電磁推力發(fā)射裝置軌道的嚴重?zé)g的問題,使得降低對電樞和軌道的燒蝕,提高了軌道的使用壽命。
通過本發(fā)明可以實現(xiàn)的技術(shù)目的不限于上文已經(jīng)特別描述的內(nèi)容,并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將從下面的詳細描述中更加清楚地理解本文中未描述的其他技術(shù)目的。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:
根據(jù)本公開的一方面,本發(fā)明提供一種電磁推力發(fā)射裝置,其特征在于,所述裝置包括:
第一軌道;
第二軌道,所述第一軌道和第二軌道相互平行和絕緣,并且由金屬制成;
電樞,所述電樞位于所述第一軌道和第二軌道之間且可沿其滑動并與所述第一軌道和第二軌道滑動電接觸;
彈丸,所述彈丸由所述電樞推動;
高功率脈沖電源;以及
開關(guān);
其特征在于,所述第一軌道和第二軌道和電樞以及開關(guān)、電源構(gòu)成串聯(lián)回路,當所述開關(guān)閉合時,所述電源向回路供電,在所述回路中通過所述第一軌道和第二軌道的電流產(chǎn)生磁場,流過所述電樞的電流在該磁場的作用下形成電磁力,該電磁力加速所述電樞和彈丸到超高速。
可選地,在如上所述的裝置中,所述等離子層的厚度為0.001mm,相對磁導(dǎo)率為1,電導(dǎo)率為2000000s/m,密度為1.2kg/m3,熱傳導(dǎo)系數(shù)為0.5w/m·k,比熱為1030J/kg·c,所述電源的通電時間為0.002s。
可選地,在如上所述的裝置中,所述等離子層的厚度為以下之一:0.001mm,0.005mm,0.01mm,0.05mm,0.1mm。
可選地,在如上所述的裝置中,所述等離子層的電導(dǎo)率為以下之一:200s/m,2000s/m,20000s/m,200000s/m,2000000s/m。
可選地,在如上所述的裝置中,所述等離子層的密度為以下之一:0.01kg/m3,0.05kg/m3,0.1kg/m3,0.5kg/m3,1kg/m3,10kg/m3,100kg/m3。
可選地,在如上所述的裝置中,所述等離子層的熱傳導(dǎo)系數(shù)為以下之一:0.01w/m·k,0.03w/m·k,0.05w/m·k,0.07w/m·k,0.09w/m·k,0.11w/m·k,0.13w/m·k,0.15w/m·k。
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