[發明專利]電子器件、存儲器器件和預充電列信號線的方法

有效

• 申請號: 201911035719.8
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN111128273B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 埃德·麥克庫姆
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413;G11C7/12;G11C8/08
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

存儲器器件包括可操作地連接到列信號線和字信號線的存儲器單元。與要訪問(例如，讀取)的一個或多個存儲器單元相關聯的列信號線被預充電到第一電壓電平。與要訪問的一個或多個存儲器單元不相關聯的列信號線被預充電到第二電壓電平，其中第二電壓電平小于第一電壓電平。本發明的實施例還涉及電子器件和預充電列信號線的方法。

技術領域

本發明的實施例涉及電子器件、存儲器器件和預充電列信號線的方法。

背景技術

出于各種目的，在電子器件中使用不同類型的存儲器電路。只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)是兩種這樣類型的存儲器電路。ROM電路允許從ROM電路讀取數據，但不寫入ROM電路，并在電源關閉時保持其存儲的數據。這樣，ROM電路通常用于存儲在電子器件導通時執行的程序。

RAM電路允許將數據寫入RAM電路中的所選存儲器單元并從中讀取數據。一種RAM電路是靜態隨機存取存儲器(SRAM)電路。典型的SRAM電路包括以列和行布置的可尋址存儲器單元的陣列。當要讀取存儲器單元時，通過激活連接到存儲器單元的行字線和列信號線(b1和blb線)來選擇存儲器單元。然而，列信號線可以相對較長并且具有大的寄生電容。在一些情況下，寄生電容可能在錯誤的讀取操作中產生，其中從存儲器單元讀出不正確的值(例如，1或0)。

為了在讀取操作期間減小寄生電容的影響，可以在字線被斷言之前將列信號線(bl和blb)預充電到參考電壓(例如，VDD)。在列信號線被預充電并且字線被激活之后，產生bl和blb線之間的電壓差。該電壓差用于確定1還是0存儲在存儲器單元中。

在一些器件中，用于對列信號線進行預充電的電源是可再充電電源，諸如電池。當所有列信號線一次預充電時，不必要地使用來自電池(用于預充電列信號線)的一些電荷，因為當訪問存儲器單元時僅選擇預充電列信號線的子集。用于預充電未選擇的列信號線的電荷被浪費。

發明內容

本發明的實施例提供了一種電子器件，包括：存儲器器件，包括：第一存儲器單元，可操作地連接到一條或多條第一列信號線；第二存儲器單元，可操作地連接到一條或多條第二列信號線；和預充電電路，可操作地連接到所述一條或多條第一列信號線和所述一條或多條第二列信號線，其中，所述預充電電路可操作為：當要訪問所述第一存儲器單元時，將所述一條或多條第一列信號線預充電到第一電壓電平；并且當要訪問所述第一存儲器單元時，將所述一條或多條第二列信號線預充電到第二電壓電平，其中，所述第二電壓電平小于所述第一電壓電平。

本發明的另一實施例提供了一種預充電列信號線的方法，所述列信號線可操作地連接到存儲器陣列中的存儲器單元，所述方法包括：基于所接收的與要訪問的存儲器單元相關聯的列地址，確定可操作地連接到所述存儲器單元的一條或多條所選擇的列信號線；將所述一條或多條所選擇的列信號線預充電到第一電壓電平；以及將一條或多條未選擇的列信號線預充電到小于所述第一電壓電平的第二電壓電平。

本發明的又一實施例提供了一種存儲器器件，包括：第一存儲器單元，可操作地連接到一條或多條第一列信號線；第二存儲器單元，可操作地連接到一條或多條第二列信號線；第一預充電回路，可操作地連接到所述一條或多條第一列信號線；第二預充電回路，可操作地連接到所述一條或多條第二列信號線；第一開關回路，可操作地連接在所述第一預充電回路和提供第一電壓電平的第一信號線之間；第二開關回路，可操作地連接在所述第二預充電回路和提供所述第一電壓電平的所述第一信號線之間；第三開關回路，可操作地連接在所述第一預充電電路和提供第二電壓電平的第二信號線之間；以及第四開關回路，可操作地連接在所述第二預充電回路和提供所述第二電壓電平的所述第二信號線之間。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該強調，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制并且僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出根據一些實施例的存儲器器件的部分的框圖；