[發明專利]半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 201911035132.7
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN111435660A
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發明（設計）人: 金熙中;趙珉熙;金俊秀;安泰炫;禹東秀;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;韓芳

提供了一種半導體存儲器裝置。所述半導體存儲器裝置包括：堆疊結構，具有豎直堆疊在基底上的多個層，每個層包括：第一位線和柵極線，在第一方向上延伸，第一半導體圖案，在第一位線和柵極線之間沿第二方向延伸，第二方向與第一方向交叉，以及第二半導體圖案，跨越第一柵極絕緣層與柵極線相鄰，第二半導體圖案在第一方向上延伸；第一字線，與第一半導體圖案相鄰并從基底在第三方向上豎直延伸，第三方向與第一方向和第二方向垂直；第二位線，連接到第二半導體圖案的一端并從基底在第三方向上豎直延伸；以及第二字線，連接到第二半導體圖案的另一端并在第三方向上豎直延伸。

本申請要求于2019年1月11日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0003845號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。

技術領域

一些示例實施例涉及半導體裝置，更具體地，涉及集成度增大的三維半導體存儲器裝置。

背景技術

半導體裝置已經被高度集成，改善了半導體裝置的性能并降低了半導體裝置的制造成本以滿足用戶的需求。由于半導體裝置的集成密度是決定產品價格的重要因素，因此越來越需要高度集成的半導體裝置。典型的二維或平面半導體裝置的集成度主要由被單位存儲器單元占據的面積決定，使得其受用于形成精細圖案的技術水平的影響。然而，用于提高圖案精細度的昂貴加工設備在增大二維或平面半導體裝置的集成度方面設置了實際障礙。因此，已經提出了具有三維布置的存儲器單元的三維半導體存儲器裝置，用于實現高度集成的半導體裝置而不采用昂貴的處理設備。

發明內容

一些示例實施例提供具有增大的集成度的三維半導體存儲器裝置。

根據一些示例實施例，半導體存儲器裝置可以包括：堆疊結構，包括豎直堆疊在基底上的多個層，所述多個層中的每個層包括：第一位線，在第一方向上延伸，柵極線，在第一方向上延伸，第一半導體圖案，在第一位線和柵極線之間沿第二方向延伸，第二方向與第一方向交叉，以及第二半導體圖案，跨越第一柵極絕緣層與柵極線相鄰，第二半導體圖案在第一方向上延伸；第一字線，與第一半導體圖案的一側相鄰并從基底在第三方向上豎直延伸，第三方向與第一方向和第二方向垂直；第二位線，連接到第二半導體圖案的第一端并從基底在第三方向上豎直延伸；以及第二字線，連接到第二半導體圖案的第二端并在第三方向上豎直延伸，第二端與第一端相對。

根據一些示例實施例，半導體存儲器裝置可以包括：堆疊結構，包括豎直堆疊在基底上的多個層，所述多個層中的每個層包括：第一位線，在第一方向上延伸，柵極線，在第一方向上延伸，第一半導體圖案，連接到第一位線和柵極線，以及第二半導體圖案，跨越第一柵極絕緣層與柵極線相鄰；第一字線，跨越第二柵極絕緣層與第一半導體圖案的一側相鄰，第一字線從基底豎直延伸；電容器電極，跨越介電層與接觸件相鄰，電容器電極從基底豎直延伸，接觸件連接到第一半導體圖案；第二位線，連接到第二半導體圖案的第一端并從基底豎直延伸；以及第二字線，連接到第二半導體圖案的第二端并從基底豎直延伸，第二端與第一端相對。

根據一些示例實施例，半導體存儲器裝置可以包括：堆疊結構，包括豎直堆疊在基底上的多個層，所述多個層中的每個層包括：第一導線，在第一方向上延伸，第二導線，在第一方向上延伸，第一半導體圖案，在第一導線和第二導線之間沿第二方向延伸，每個第一半導體圖案在第一方向上設置，第二方向與第一方向交叉，以及第二半導體圖案，與第二導線相鄰，每個第二半導體圖案在第一方向上設置；以及第三導線，位于第一導線和第二導線之間并從基底在第三方向上豎直延伸，第三方向與第一方向和第二方向垂直，一對第三導線設置在所述一對第三導線之間的一個第一半導體圖案的相對側上。

附圖說明

圖1示出了展示根據一些示例實施例的三維半導體存儲器裝置的透視圖。

圖2示出了展示根據一些示例實施例的三維半導體存儲器裝置的透視圖。

圖3A示出了展示根據一些示例實施例的三維半導體存儲器裝置的平面圖。