[發(fā)明專利]一種Nd:YLF晶體的生長方法

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• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN110670119A
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬文;萬黎明
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽環(huán)巢光電科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/00
• 分類號(hào): C30B15/00;C30B15/20;C30B29/12
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• 代理人: 暫無信息

1.一種Nd:YLF晶體的生長方法，其特征在于，步驟包括：

步驟一：將氟化釔、氟化鋰、氟化釹裝進(jìn)塑料瓶中并固定到混料機(jī)上，進(jìn)行充分混合，混合時(shí)間為24h，24h后取出，置入瑪瑙研缽中進(jìn)行研磨，而后再進(jìn)行混料12h；

步驟二：檢查籽晶桿真空密封橡皮圈，清理籽晶桿，安裝坩堝，檢測檢查熱偶，避免其與爐體短路，避免與坩堝接觸，將步驟一的混合料進(jìn)行裝料；

步驟三：裝料完畢后，將爐體抽至高真空，充入高純氬氣，再次抽真空后第二次充入氬氣和四氟化碳作為保護(hù)氣體，爐內(nèi)氣壓控制在0.02MPa左右，開啟中頻電源待原料完全熔化后，首先在較高溫度下保持3 0分鐘以使熔體充分對流均化，然后適當(dāng)降低溫度，同時(shí)逐步下?lián)u籽晶，當(dāng)籽晶下降至液面之上約1cm時(shí)，保溫3 0分鐘使其充分預(yù)熱，開始提拉，并適當(dāng)調(diào)節(jié)使熔體溫度略高于熔點(diǎn)，下種將籽晶慢慢下降插入熔體，下種后應(yīng)平衡15-30分鐘，使籽晶由微熔轉(zhuǎn)入生長，并開始提拉；

步驟四：放肩階段；

步驟五：至放肩后期晶體長到所需直徑時(shí)，進(jìn)入等徑生長階段，進(jìn)行升、降溫以控制晶體直徑在一定范圍內(nèi)緩慢變化；

步驟六：縮頸收尾，使得晶體慢慢變細(xì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nd:YLF晶體的生長方法，其特征在于，步驟一：混料12h后觀察是否有球狀的顆粒，如果有球狀的顆粒還要進(jìn)行研磨和混料，若有顆粒則重復(fù)研磨以及混料12h。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nd:YLF晶體的生長方法，其特征在于，步驟一：將混合均勻的混合料放入塑料模具中，密封后在150MPa的條件下進(jìn)行冷等靜壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nd:YLF晶體的生長方法，其特征在于，步驟二：安裝坩堝時(shí)，坩堝上沿應(yīng)略高于感應(yīng)線圈的最上層并保證坩堝上沿平面水平。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nd:YLF晶體的生長方法，其特征在于，步驟二：安裝坩堝時(shí)，坩堝的對稱軸、保溫筒中心、籽晶中心、感應(yīng)線圈中心應(yīng)保持一致。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nd:YLF晶體的生長方法，其特征在于，步驟三：拉速0.6-0.8mm/時(shí)，轉(zhuǎn)速1 5轉(zhuǎn)/分左右。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nd:YLF晶體的生長方法，其特征在于，步驟四：放肩的放肩角控制在60度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nd:YLF晶體的生長方法，其特征在于，步驟六：收尾時(shí)，當(dāng)晶體縮到大約5mm左右再逐步降溫在提拉中使坩堝中底料部分結(jié)晶。