[發明專利]形成用于EUV光刻工藝的抗蝕劑底層膜的涂料組合物

在審

• 申請號: 201911034549.1
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN111116357A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 沈載桓;S·金;樸琎洪;金明烈;Y-J·姜;林載峰
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料韓國有限公司
• 主分類號: C07C59/01
• 分類號: C07C59/01;C07C59/285;C07C59/245;C07C31/20;C07C31/22;C08G63/685;C09D167/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒;胡嘉倩

1.一種由化學式(1)表示的單體：

其中，

X是直鏈或支鏈C1至C10烴基、C1至C10烷氧基羰基、C1至C10烷酰氧基、羧酸基團、或者任選地被C1至C5烷氧基羰基或C1至C5取代的烷氧基取代的直鏈或支鏈C1至C10羥烷基；

Y是氫、直鏈或支鏈C1至C10烴基、C1至C10烷氧基羰基、C1至C10烷酰氧基、羧酸基團、或者任選地被C1至C5烷氧基羰基或C1至C5烷氧基取代的直鏈或支鏈C1至C10羥烷基；并且

Z是直鏈或支鏈C1至C10烴基、C1至C10烷氧基羰基、C1至C10烷酰氧基、羧酸基團、或者任選地被C1至C5烷氧基羰基或C1至C5烷氧基取代的直鏈或支鏈C1至C10羥烷基，

其中所述C1至C10烴基、所述C1至C10烷氧基羰基、所述C1至C10烷酰氧基、以及所述C1至C10羥烷基中的每一個任選地被選自由以下各項組成的組中的至少一項取代：氟、氯、溴、碘、羥基、硫醇基、羧酸基團、C1至C5烷基、C3至C8環烷基、C2至C5烯基、C1至C5烷氧基、C2至C5烯氧基、C6至C10芳基、C6至C10芳氧基、C7至C10烷芳基、以及C7至C10烷基芳氧基。

2.一種聚合物，其包含衍生自如權利要求1所述的單體的重復單元。

3.如權利要求2所述的聚合物，其進一步包含衍生自由化學式(2)表示的單體的重復單元：

其中，

A、B、C、D、E和F各自獨立地是氫、鹵素、羥基、羧酸基團、C1至C10烷氧基羰基、C1至C10烷氧基、直鏈或支鏈C1至C10烴基、C1至C10烷氧基羰基、或C1至C10烷酰氧基，

其中所述C1至C10烷氧基羰基、所述C1至C10烷氧基、所述C1至C10烴基、所述C1至C10烷氧基羰基、以及所述C1至C10烷酰氧基中的每一個任選地被選自由以下各項組成的組中的至少一項取代：氟、氯、溴、碘、C1至C5烷基、C3至C8環烷基、C2至C5烯基、C1至C5烷氧基、C2至C5烯氧基、C6至C10芳基、C6至C10芳氧基、C7至C10烷芳基、以及C7至C10烷基芳氧基，

前提是選自A、B、C、D、E和F中的至少一項是羥基。

4.如權利要求2或3所述的聚合物，其進一步包含衍生自由化學式(3)表示的單體的重復單元：

其中，

K、L和M各自獨立地是直鏈或支鏈C1至C10烴基、C1至C10烷氧基羰基、C1至C10烷酰氧基、或者任選地被C1至C5烷氧基羰基或C1至C5取代的烷氧基取代的直鏈或支鏈C1至C10羥烷基，所述直鏈或支鏈C1至C10烴基、所述C1至C10烷氧基羰基、所述C1至C10烷酰氧基中的每一個任選地被羧酸基團取代，

其中所述C1至C10烴基、所述C1至C10烷氧基羰基、所述C1至C10烷酰氧基、以及所述C1至C10羥烷基中的每一個任選地被選自由以下各項組成的組中的至少一項取代：氟、氯、溴、碘、C1至C5烷基、C3至C8環烷基、C2至C5烯基、C1至C5烷氧基、C2至C5烯氧基、C6至C10芳基、C6至C10芳氧基、C7至C10烷芳基、以及C7至C10烷基芳氧基。

5.如權利要求2至4中任一項所述的聚合物，其中，在化學式(1)中，選自X、Y和Z中的至少一項包含羧酸基團。

6.如權利要求2至5中任一項所述的聚合物，其中，在化學式(2)中，選自A、B、C、D、E和F中的至少一項包含碘。

7.如權利要求2至6中任一項所述的聚合物，其中，在化學式(3)中，選自K、L和M中的至少一項包含羥烷基。

8.一種底層涂料組合物，其包含：

如權利要求2至7中任一項所述的聚合物；

交聯劑；以及

溶劑。

9.如權利要求8所述的底層涂料組合物，其進一步包含光酸產生劑。