[發明專利]半導體設備封裝和其制造方法

在審

• 申請號: 201911033667.0
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN112018051A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 張勇舜;李德章
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

本發明提供一種半導體設備封裝，其包含第一介電層、導電焊墊和電觸頭。所述第一介電層具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述導電焊墊安置于所述第一介電層內。所述導電焊墊包含第一導電層和屏障。所述第一導電層與所述第一介電層的所述第二表面相鄰。所述第一導電層具有面向所述第一介電層的所述第一表面的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述第一導電層的所述第二表面從所述第一介電層暴露。所述屏障層安置于所述第一導電層的所述第一表面上。所述電觸頭安置于所述導電焊墊的所述第一導電層的所述第二表面上。

技術領域

本公開大體上涉及半導體設備封裝和其制造方法，以及包含焊墊結構的半導體設備封裝和其制造方法。

背景技術

半導體封裝設備可包含將電子組件電連接到襯底的焊球。在比較性半導體封裝設備中，焊球可直接粘合到銅焊墊。然而，金屬間化合物(IMC)層可形成于焊球與銅焊墊之間，這可引起裂縫或空隙并且繼而影響焊球與銅焊墊之間的連接。

發明內容

在一或多個實施例中，一種半導體設備封裝包含第一介電層、導電焊墊和電觸頭。所述第一介電層具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述導電焊墊安置于所述第一介電層內。所述導電焊墊包含第一導電層和屏障。所述第一導電層與所述第一介電層的所述第二表面相鄰。所述第一導電層具有面向所述第一介電層的所述第一表面的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述第一導電層的所述第二表面從所述第一介電層暴露。所述屏障層安置于所述第一導電層的所述第一表面上。所述電觸頭安置于所述導電焊墊的所述第一導電層的所述第二表面上。

在一或多個實施例中，一種制造半導體設備封裝的方法包含(a)提供載體；(b)在所述載體上形成第一介電層，所述第一介電層具有穿透所述第一介電層的開口；(c)在所述開口內形成第一導電層；(d)在所述開口內和所述第一導電層上形成屏障層；和(e)在所述第一介電層上和所述開口內形成互連層。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本公開的各方面。應注意，各種特征可能未按比例繪制，且各種特征的尺寸可出于論述的清楚起見而任意增大或減小。

圖1說明根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的橫截面圖。

圖2A說明根據本公開的一些實施例制造半導體封裝設備的方法的一或多個階段。

圖2B說明根據本公開的一些實施例制造半導體封裝設備的方法的一或多個階段。

圖2C說明根據本公開的一些實施例制造半導體封裝設備的方法的一或多個階段。

圖2D說明根據本公開的一些實施例制造半導體封裝設備的方法的一或多個階段。

圖2E說明根據本公開的一些實施例制造半導體封裝設備的方法的一或多個階段。

圖2F說明根據本公開的一些實施例制造半導體封裝設備的方法的一或多個階段。

圖2G說明根據本公開的一些實施例制造半導體封裝設備的方法的一或多個階段。

圖2H說明根據本公開的一些實施例制造半導體封裝設備的方法的一或多個階段。

圖2I說明根據本公開的一些實施例制造半導體封裝設備的方法的一或多個階段。

圖2J說明根據本公開的一些實施例制造半導體封裝設備的方法的一或多個階段。

在整個圖式和詳細描述中使用共同參考標號來指示相同或相似組件。根據以下結合附圖作出的詳細描述將容易理解本公開。

具體實施方式

圖1說明根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝1(或半導體設備封裝的一部分)的橫截面圖。半導體封裝設備1包含電路層10、導電焊墊11和電觸頭12。