[發明專利]一種提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法及其應用

在審

• 申請號: 201911033332.9
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN112725746A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 田耘;張建楠;胡鵬程
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;H01L31/032;H01L31/04
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 鄭平

1.一種提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法，其特征在于，步驟為：在襯底上制備銀膜作為緩沖層，然后在緩沖層上濺射氧化亞銅薄膜，即得。

2.如權利要求1所述的提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法，其特征在于，所述在襯底上制備銀膜緩沖層的方法為磁控濺射。

3.如權利要求2所述的提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法，其特征在于，所述方法具體為：采用高純銀靶在襯底上濺射銀膜。

4.如權利要求3所述的提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法，其特征在于，所述銀膜的制備中，抽真空至背景真空≤3.5×10^-4Pa，然后將襯底加熱至480-550℃后在氬氣氣氛下濺射，濺射參數為：直流電源，靶功率為8-13W，濺射時間18-30min，濺射氣壓0.3-0.8Pa，氬氣流量為35-45sccm。

5.如權利要求1所述的提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法，其特征在于，所述在緩沖層上濺射氧化亞銅薄膜的方法為：采用高純銅靶在氬氣氣氛下濺射，背景真空≤3.5×10^-4Pa，濺射參數為：射頻電源，靶功率為35-48W，濺射時間12-18min，濺射氣壓0.3-0.8Pa，氬氣和氧氣總流量35-45sccm，且O₂含量為5-10％。

6.如權利要求4所述的提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法，其特征在于，所述銀靶的厚度為3-6mm，直徑40-55mm。

7.如權利要求5所述的提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法，其特征在于，所述銅靶的厚度均為3-6mm，直徑40-55mm。

8.如權利要求1-7任一項所述的提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法，其特征在于，所述襯底為單晶硅片或者石英玻璃片。

9.如權利要求1-7任一項所述的提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法，其特征在于，所述襯底采用丙酮和乙醇超聲清洗后再進行濺射。

10.如權利要求1-9任一項所述的提高氧化亞銅薄膜晶粒度的方法制備的產品在太陽能電池領域中的應用。