[發明專利]一種增強型GaN基高電子遷移率晶體管材料結構在審
| 申請號： | 201911032654.1 | 申請日： | 2019-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN110767747A | 公開（公告）日： | 2020-02-07 |
| 發明（設計）人： | 王曉亮;李百泉;肖紅領;馮春;姜麗娟;殷海波;李天運;邱愛芹;介芳 | 申請（專利權）人： | 北京華進創威電子有限公司;中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 界面處 高電子遷移率晶體管 晶體管材料結構 氮化鋁插入層 鋁鎵氮勢壘層 增強型器件 材料結構 極化電荷 極化作用 外延材料 成核層 氮化鎵 底位置 蓋帽層 溝道層 緩沖層 異質結 增強型 銦鎵氮 襯底 導帶 帽層 抬高 | ||
【權利要求書】：
1.一種增強型GaN基高電子遷移率晶體管材料結構，其特征在于，所述晶體管材料結構從下至上依次包括：襯底、成核層、緩沖層、氮化鎵溝道層、氮化鋁插入層、鋁鎵氮勢壘層和銦鎵氮蓋帽層。
2.根據權利要求1所述的增強型GaN基高電子遷移率晶體管材料結構，其特征在于，所述氮化鎵溝道層的厚度為50-200 nm；所述氮化鋁插入層的厚度為0.5-5 nm。
3.根據權利要求1所述的增強型GaN基高電子遷移率晶體管材料結構，其特征在于，所述鋁鎵氮勢壘層的材料為AlxGa1-xN，其中0.1≤x≤1，其厚度為5-50 nm。
4.根據權利要求1所述的增強型GaN基高電子遷移率晶體管材料結構，其特征在于，所述緩沖層的材料為AlyGa1-yN，其中0≤y<0.10，厚度為0.5-5 μm。
5.根據權利要求1所述的增強型GaN基高電子遷移率晶體管材料結構，其特征在于，所述成核層的材料是GaN或者AlN，厚度為0.01-0.50 μm。
6.根據權利要求1所述的增強型GaN基高電子遷移率晶體管材料結構，其特征在于，所述襯底的材質為藍寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、氮化鋁的任一種。
7.根據權利要求1所述的增強型GaN基高電子遷移率晶體管材料結構，其特征在于，所述銦鎵氮蓋帽層的厚度為1-50 nm。
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