[發(fā)明專利]微LED芯片、生長基板、顯示面板以及微LED芯片的轉(zhuǎn)移方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911032647.1
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN112736175B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚志博;夏繼業(yè);董小彪;王程功
• 申請（專利權(quán)）人: 成都辰顯光電有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L27/15;H01L21/67;H01L33/00;H01L33/48
• 代理公司: 廣東君龍律師事務(wù)所 44470
• 代理人: 丁建春

1.一種微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片包括：

第一摻雜外延層，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；

發(fā)光層，至少覆蓋部分所述第一區(qū)域；

第二摻雜外延層，覆蓋所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第一摻雜外延層一側(cè)表面；

第一電極，設(shè)置于所述第二區(qū)域，且與所述發(fā)光層處于同側(cè)；

第二電極，設(shè)置于所述第二摻雜外延層遠(yuǎn)離所述發(fā)光層一側(cè)，且所述第一電極和所述第二電極在所述第一摻雜外延層上的正投影不重合；

其中，所述第一電極和所述第二電極在所述微LED芯片的厚度方向上具有高度差，所述高度差大于1微米且小于3微米；

其中，所述第一電極凸出于所述第二電極，且在沿所述第一摻雜外延層至所述第二電極方向上，所述第一電極凸出所述第二電極的部分的截面為倒梯形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微LED芯片，其特征在于，

所述第一電極與所述第二電極的厚度相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微LED芯片，其特征在于，

在沿所述第一摻雜外延層至所述第二電極方向上，所述第二電極截面為倒梯形，和/或，所述第一電極的截面為倒梯形。

4.一種生長基板，其特征在于，所述生長基板包括：

透明襯底；

權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的多個(gè)微LED芯片，且所述微LED芯片的所述第一摻雜外延層靠近所述透明襯底設(shè)置。

5.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括：

驅(qū)動基板，所述驅(qū)動基板一側(cè)設(shè)置有多個(gè)陣列排布的焊料柱；

多個(gè)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的微LED芯片，所述微LED芯片的所述第一電極和所述第二電極分別與對應(yīng)位置處的焊料柱電連接，且所述第一電極和所述第二電極對應(yīng)位置處的所述焊料柱之間具有所述高度差。

6.一種微LED芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移方法包括：

提供生長基板，其中，所述生長基板包括透明襯底和位于所述透明襯底上的多個(gè)微LED芯片；所述微LED芯片包括：第一摻雜外延層，位于所述透明襯底上，且包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；發(fā)光層，至少覆蓋部分所述第一區(qū)域；第二摻雜外延層，覆蓋所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第一摻雜外延層一側(cè)表面；第一電極設(shè)置于所述第二區(qū)域，且與所述發(fā)光層處于同側(cè)；第二電極設(shè)置于所述第二摻雜外延層遠(yuǎn)離所述發(fā)光層一側(cè)，且所述第一電極和所述第二電極在所述第一摻雜外延層上的正投影不重合，所述第一電極和所述第二電極之間在所述微LED芯片的厚度方向上具有高度差，所述高度差大于1微米且小于3微米；所述第一電極凸出于所述第二電極，且在沿所述第一摻雜外延層至所述第二電極方向上，所述第一電極凸出所述第二電極的部分的截面為倒梯形；

將所述生長基板中設(shè)置有多個(gè)微LED芯片一側(cè)嵌入臨時(shí)基板的鍵合層中，所述微LED芯片位于同一側(cè)的第一電極和第二電極中凸出的一個(gè)電極的凸出部分位于所述鍵合層中，另一個(gè)電極的至少部分位于所述鍵合層外部；

激光從所述生長基板的透明襯底一側(cè)進(jìn)行照射，以使得所述透明襯底與所述第一摻雜外延層分離；

撤去所述透明襯底；

將所述微LED芯片轉(zhuǎn)移。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述將所述生長基板中設(shè)置有多個(gè)所述微LED芯片一側(cè)嵌入臨時(shí)基板的鍵合層中，包括：

將所述生長基板靠近所述鍵合層，直至所述鍵合層靠近所述生長基板一側(cè)的表面與所述另一個(gè)電極背離所述透明襯底一側(cè)表面齊平。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述提供生長基板包括：

在所述第一摻雜外延層的第二區(qū)域以及所述第二摻雜外延層背離所述發(fā)光層一側(cè)同時(shí)分別形成所述第一電極和所述第二電極，且所述第一電極和所述第二電極的厚度相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移方法還包括：

對所述第一電極和所述第二電極進(jìn)行蝕刻處理，以使得在沿所述第一摻雜外延層至所述第二電極方向上，所述第一電極的截面為倒梯形；和/或，

對所述第二電極進(jìn)行蝕刻處理，以使得在沿所述第一摻雜外延層至所述第二電極方向上，所述第二電極的截面為倒梯形。