[發明專利]半導體器件和形成半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201911031314.7
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN111106175A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 萬政典;李名鎮
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底上的半導體鰭；

沿著所述半導體鰭的側壁和頂表面的柵極結構，其中所述柵極結構覆蓋所述半導體鰭的第一部分；

源極/漏極部件；以及

與所述源極/漏極部件連接的源極/漏極接觸部，其中所述源極/漏極接觸部向下延伸到低于所述半導體鰭的第一部分的頂表面的位置。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極/漏極接觸部的低于所述半導體鰭的所述第一部分的頂表面的部分被布置在所述源極/漏極部件內。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極/漏極部件具有凹形的橫截面形狀。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極/漏極部件的最上表面與所述半導體鰭的第一部分的頂表面齊平。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極/漏極部件的厚度在1nm到10nm的范圍內，所述源極/漏極部件與所述柵極結構相鄰。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極/漏極部件是具有摻雜濃度在10¹⁹cm^-3和10²¹cm^-3之間的摻雜區域。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在所述源極/漏極接觸部的最低底部與所述半導體鰭的底表面之間的距離等于或小于10nm。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述源極/漏極接觸部包括：下部，直接位于所述源極/漏極部件的凹形上表面上；和上部，設置在所述下部之上并電連接到所述下部。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述下部的寬度小于所述上部的寬度；或者，所述下部的寬度大于所述上部的寬度。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，所述半導體鰭包括納米線或納米片。

11.一種形成半導體器件的方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成半導體鰭；

沿著所述半導體鰭的第一部分的側壁和頂表面形成柵極結構，其中，所述柵極結構暴露所述半導體鰭的第二部分；

在所述襯底上形成介電層，覆蓋所述半導體鰭的所述暴露的第二部分；

移除所述介電層的一部分以形成第一孔，其中所述第一孔暴露出所述半導體鰭的第二部分；

移除所述半導體鰭的第二部分的一部分以在所述第一孔的下方形成第二孔；

在所述第二孔中形成源極/漏極部件，其中，所述源極/漏極部件限定出凹陷區域，所述凹陷區域低于所述半導體鰭的所述第一部分的所述頂表面；以及

在所述凹陷區域和所述第一孔中形成源極/漏極接觸部。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述源極/漏極接觸部的底表面低于所述半導體鰭的第一部分的頂表面。

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，形成源極/漏極部件包括：形成所述源極/漏極部件為具有凹形橫截面形狀。

14.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述源極/漏極部件是通過注入或外延的生長形成的。

15.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述源極/漏極部件被形成具有在1nm到10nm的范圍內的厚度。