[發明專利]電源靜電防護電路、電源模塊和半導體器件

在審

• 申請號: 201911030881.0
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN110739302A
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 李志國
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 31100 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 駱希聰

1.一種電源靜電防護電路，適于具有外部電源端和內部電源端的電源模塊，所述外部電源端連接所述內部電源端，所述電源靜電防護電路包括：

第一晶體管，包括第一端、第二端和控制端，所述第一晶體管的第一端適于連接所述內部電源端，所述第一晶體管的第二端適于連接參考節點；

電容，適于連接在所述外部電源端和所述第一晶體管的控制端之間；以及

第一電阻，適于連接在所述內部電源端和所述第一晶體管的控制端之間。。

2.如權利要求1所述的電源靜電防護電路，其特征在于，所述外部電源端通過第二晶體管連接所述內部電源端。

3.如權利要求1所述的電源靜電防護電路，其特征在于，所述內部電源端通過第二電阻連接所述參考節點。

4.如權利要求1所述的電源靜電防護電路，其特征在于，所述第一晶體管包括RC觸發溝道放電結構。

5.如權利要求1所述的電源靜電防護電路，其特征在于，所述RC觸發溝道放電結構的RC值在100-2000ns之間。

6.如權利要求4所述的電源靜電防護電路，其特征在于，所述RC觸發溝道放電結構滿足非ESD設計規則。

7.如權利要求1所述的電源靜電防護電路，其特征在于，所述第一晶體管包括多個并聯的子晶體管，各個子晶體管的源擴散區分別連接到同一源極，各個晶體管的漏擴散區分別連接到同一漏極。

8.一種電源模塊，包括：

外部電源端；

內部電源端，連接所述外部電源端；以及

如權利要求1-7任一項所述的電源靜電防護電路。

9.如權利要求8所述的電源模塊，其特征在于，所述外部電源端通過第二晶體管連接所述內部電源端。

10.如權利要求8所述的電源模塊，其特征在于，所述內部電源端通過第二電阻連接所述參考節點。

11.一種半導體器件，包括如權利要求8至10任一項所述的電源模塊。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件是存儲器。