[發明專利]一種P-TOPCon光伏太陽能電池結構的制備方法有效
| 申請號: | 201911030560.0 | 申請日: | 2019-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN110620159B | 公開(公告)日: | 2022-01-25 |
| 發明(設計)人: | 吳王平;張屹;王翔;丁建寧;袁寧一 | 申請(專利權)人: | 常州大學 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 topcon 太陽能電池 結構 制備 方法 | ||
本發明公開了一種P型晶體硅TOPCon電池結構的制備方法,該電池結構為電池結構為正面結構為Ag柵線+SiNx層+N+層+局部SiOx+Poly層,背面結構為Al層+SiNx層+Al2O3層+P+。另外,電池的制備方法為雙面制絨→單面氧化→單面微晶硅→磷摻雜退火→正面掩膜→去除非掩膜區域→清洗→單面N+磷擴散→去除掩膜區域形成SiOx+Poly層→鈍化→激光開槽→絲網印刷+燒結。本發發明公開的一種新型P?TOPCon電池制備方法——即PERC前表面場進行多晶硅摻雜的選擇性發射極工藝,可有效提升開路電壓VOC,并減低Rs,提升FF,選擇性的多晶硅摻雜工藝可有效降低ISC的損失,進而提升了效率。
技術領域
本發明屬于太陽能光伏行業領域,尤其涉及P型晶體硅TOPCon光伏太陽能電池結構的制備方法。
背景技術
清潔能源成為了當前時代發展的必然趨勢。對于太陽能電池行業,目前已大批量量產的技術是高效晶硅鈍化發射極和背面電池,即PERC(Passivated Emitterand RearCell)電池。可量產達到的效率也僅22%,遇到了效率的瓶頸階段。其中IBC、HTI雖具有較高的效率,但如果批量量產,則需購置全新的設備,現有的PERC設備即不能改造大量投入使用,將造成巨大的損失。Poly鈍化被大量開始推廣于N型電池的背面結構,但對于P型結構由于poly的吸光性太強,作業于前表面場時將會造成ISC損失。常規PERC電池結構為電池正面結構為:Ag柵線+SiNx層+N+層+局部N++層,其背面結構為:Al層+SiNx層+Al2O3層+P+,其背面是深結局部背場LBSF電池,見附圖1所示。另外,PERC電池制作流程為:堿制絨、POCl3擴散、激光SE、清洗、背面氧化鋁、雙面氮化硅、背面激光開槽,絲網印刷燒結。
本發明主要是在現有的PERC技術上將前表面場(正面)進行鈍化處理,也即進行多晶硅摻雜的選擇性發射極工藝(簡稱P-TOPCon),選擇性發射極可有效規避ISC損失,從而達到提升開路電壓VOC,進行提升電池效率的目的。
發明內容
本發明公開了一種新型P型晶體硅TOPCon電池結構為正面結構為Ag柵線+SiNx層+N+層+局部SiOx+Poly層,背面結構為Al層+SiNx層+Al2O3層+P+;另外本發明還公開了一種P型晶體硅TOPCon電池的制備方法,具體電池制作步驟為:
1)雙面制絨——于槽式機臺里,四甲基氫氧化銨TMAH:添加劑過硫酸銨、異丙醇等質量配比為8:1—12:1,溫度維持在75-85℃,時間為6-10min進行制絨工藝處理,電池片減薄量控制在0.4-0.6g;
2)單面氧化——在管式擴散爐內,溫度維持在500-650℃,氮氣流量為1500-3000sccm,氧氣流量為800-1500sccm,時間為15-25min,氧化厚度為1-2nm;
3)單面微晶硅——利用LPCVD設備,SiH4流量為500-800sccm,時間為10-25min,厚度控制在100-200nm;
4)磷摻雜退火——于管式路管內,采用低溫沉積溫度維持在700-750℃,高濃度的小氮流量1000-1500sccm,時間為30-50min;高溫推進溫度維持在850-900℃,通入氮氣流量1500-3000sccm,時間為30-60min,P型片方阻控制在20-60Ω/cm;
5)正面掩膜——通過絲網印刷的方式,將耐堿的蠟印刷至硅片表面,形成所需圖案;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





