[發明專利]半導體功率器件終端結構在審
| 申請號： | 201911030369.6 | 申請日： | 2019-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN112802888A | 公開（公告）日： | 2021-05-14 |
| 發明（設計）人： | 龔軼;劉磊;劉偉;王鑫 | 申請（專利權）人： | 蘇州東微半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 功率 器件 終端 結構 | ||
1.一種半導體功率器件終端結構，其特征在于，包括：
n型外延層以及位于所述n型外延層中的：
至少一個溝槽，所述溝槽包括溝槽上部和溝槽下部兩部分；
位于所述溝槽上部中的第一電極以及至少位于所述溝槽下部中的第二電極，所述第二電極、所述第一電極、所述n型外延層兩兩之間由絕緣介質層隔離；
與所述溝槽相鄰的第一p型摻雜區。
2.如權利要求1所述的一種半導體功率器件終端結構，其特征在于，所述第一p型摻雜區外接源極電壓。
3.如權利要求1所述的一種半導體功率器件終端結構，其特征在于，所述第一p型摻雜區的深度大于所述溝槽的深度，所述第一p型摻雜區覆蓋包圍所有或者部分所述溝槽。
4.如權利要求1所述的一種半導體功率器件終端結構，其特征在于，所述第二電極與所述n型外延層之間的所述絕緣介質層的厚度，大于或等于所述第一電極與所述n型外延層之間的所述絕緣介質層的厚度。
5.如權利要求1所述的一種半導體功率器件終端結構，其特征在于，還包括位于所述第一p型摻雜區中的第二p型摻雜區，所述第二p型摻雜區的摻雜濃度大于所述第一p型摻雜區的摻雜濃度。
6.如權利要求1所述的一種半導體功率器件終端結構，其特征在于，所述溝槽上部的寬度大于所述溝槽下部的寬度。
7.如權利要求1所述的一種半導體功率器件終端結構，其特征在于，所述第二電極向上延伸至所述溝槽上部中。
8.如權利要求7所述的一種半導體功率器件終端結構，其特征在于，所述第二電極在所述溝槽上部內將所述第一電極分割為兩部分。
9.如權利要求1所述的一種半導體功率器件終端結構，其特征在于，還包括覆蓋所述溝槽的絕緣層以及覆蓋所述絕緣層的金屬層。
10.如權利要求9所述的一種半導體功率器件終端結構，其特征在于，所述金屬層外接源極電壓。
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