[發明專利]一種去除Poly繞鍍清洗方法

有效

• 申請號: 201911029952.5
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN110571309B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 吳王平;張屹;張偉;丁建寧;袁寧一
• 申請（專利權）人: 常州大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種去除poly繞鍍的清洗方法，其特征在于具體清洗工藝流程步驟為Poly生長→上料→正面刻蝕→堿洗→酸洗1→酸洗2→下料，其中從上料到下料工藝步驟都在鏈式機臺上進行操作，且尤其涉及清洗工藝步驟如下：

1）正面刻蝕——采用HF/HNO₃ 藥液低溫刻蝕，溫度控制在10-20℃，HF/HNO3/H2O體積比控制在1:10:13—1:12:15，時間為1-2 min；通過HNO₃的強氧化性在硅片表面生成氧化層，再通過HF的刻蝕作用將繞鍍區域去除，且不損害B結；

2）堿洗——采用KOH/H₂O 藥液質量配比控制在 1:15—1:20，時間為0.5-1min，可有效的中和刻蝕液的酸；

3）酸洗1——采用O₃/HF/HCl，有效的去除硅片表面的臟污，可得到較好的鈍化效果，其中O3濃度控制在15-30ppm，HF/HCl體積比控制在1:1—2:5，時間為0.5-1min；

4）酸洗2——采用HF/HCl藥液，其體積比控制在1:1—3:1，時間為1-2min，最后進行硅片表面的清潔及脫水烘干處理。