[發(fā)明專利]一種感光器件及其驅(qū)動(dòng)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911029732.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110797361B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 康曉旭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;尹一凡 |
| 地址: | 201210 上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 感光 器件 及其 驅(qū)動(dòng) 方法 | ||
1.一種感光器件,其特征在于,所述感光器件包括:
SOI襯底,所述SOI襯底包括:
基底層;和
半導(dǎo)體層,設(shè)置于所述基底層一側(cè)表面,所述半導(dǎo)體層至少包括器件區(qū);
第一柵極層,設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上與所述基底層相對(duì)的一側(cè)表面;
第二柵極層,設(shè)置于所述基底層上與所述半導(dǎo)體層相對(duì)的一側(cè)表面;
第一過(guò)孔,沿第一方向設(shè)置于所述器件區(qū)的兩側(cè),所述第一過(guò)孔貫穿所述基底層和所述半導(dǎo)體層;
第一導(dǎo)電層,所述第一導(dǎo)電層填充于所述第一過(guò)孔內(nèi),與所述第二柵極層電連接;
第二過(guò)孔,沿第二方向設(shè)置于所述器件區(qū)的兩側(cè),所述第二方向垂直于所述第一方向,所述第二過(guò)孔貫穿所述半導(dǎo)體層;
第二導(dǎo)電層,所述第二導(dǎo)電層填充于所述第二過(guò)孔內(nèi);
第一柵介質(zhì)層,設(shè)置于所述第一柵極層與所述器件區(qū)之間;
第二柵介質(zhì)層,設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層與所述器件區(qū)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的感光器件,其特征在于,所述第二柵介質(zhì)層由所述半導(dǎo)體層延伸至所述第一柵介質(zhì)層,其中,所述第二柵介質(zhì)層的延伸方向上,靠近所述第一柵介質(zhì)層的一端的厚度大于靠近所述第二柵極層一端的厚度。
3.如權(quán)利要求2所述的感光器件,其特征在于,所述第二柵介質(zhì)層包括:
主體部,由所述半導(dǎo)體層延伸至所述第一柵介質(zhì)層;
突出部,設(shè)置于靠近所述第一柵介質(zhì)層的一端。
4.如權(quán)利要求3所述的感光器件,其特征在于,所述突出部向所述器件區(qū)方向突出,并且嵌入于所述器件區(qū)、與所述第一柵介質(zhì)層接觸。
5.如權(quán)利要求3所述的感光器件,其特征在于,所述突出部向所述第一導(dǎo)電層方向突出,并且嵌入于所述第一導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求1所述的感光器件,其特征在于,所述第一柵極層為透明的石墨烯薄膜。
7.如權(quán)利要求1所述的感光器件,其特征在于,所述第一柵極層為透明的ITO薄膜。
8.如權(quán)利要求1所述的感光器件,其特征在于,所述半導(dǎo)體層還包括絕緣區(qū),所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔設(shè)置于所述絕緣區(qū)。
9.一種如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的感光器件的驅(qū)動(dòng)方法,其特征在于,包括:
對(duì)所述第一柵極層和所述第二柵極層施加不同的電壓。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,施加至所述第一柵極層的電壓為正電壓,施加至所述第二柵極層的電壓為負(fù)電壓。
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- 同類(lèi)專利
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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