[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201911029303.5 | 申請日: | 2019-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN110739339A | 公開(公告)日: | 2020-01-31 |
| 發明(設計)人: | 張鋒 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 44570 深圳紫藤知識產權代理有限公司 | 代理人: | 黃靈飛 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 顯示面板 透光區 攝像頭 射出端 射入 集成光纖 內部反射 顯示裝置 顯示區 提取效率 外界光線 陣列基板 主顯示區 光纖層 全反射 子像素 反射 界光 屏幕 | ||
本發明提供一種顯示面板及顯示裝置,顯示面板包括顯示區,所述顯示區具有透光區以及圍繞所述透光區的主顯示區;在所述透光區,所述顯示面板具有集成光纖層,所述集成光纖層中具有若干光纖,所述光纖具有射入端和射出端,光線從所述光纖的射入端經所述光纖的內部反射至所述光纖的射出端。本發明提供一種顯示面板及顯示裝置,利用光纖的全反射特性,將若干條光纖集成為光纖層連接屏下攝像頭和陣列基板,外界光線能夠透過子像素的間隙進入光纖的射入端,再經過光纖的內部反射至光纖射出端,最后再反射至屏下攝像頭,從而可有效提高屏下攝像頭對外界光的提取效率,而且能夠減少透光區的直徑,達到了高屏幕占比的目的,實現了真正的全面屏技術。
技術領域
本發明涉及顯示面板技術領域,特別涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(organic light-emitting diode,OLED)作為新型顯示技術,具有其他一些顯示技術所無可比擬的諸多優勢,如廣視角、高對比度、快響應、低功耗和可折疊等,因而在新生代顯示器中具有強有力的競爭力。
隨著OLED技術的廣泛發展和應用深入,對具有更優視覺體驗的高屏占比,甚至全面屏顯示面板的追求已成為當前顯示技術發展的潮流之一,如屏下指紋識別技術,屏下傳感技術和O-Cut技術等,均極大的提升了顯示屏的屏占比。但屏下攝像頭(Camera UnderPanel,CUP)技術仍面臨結構設計等諸多制約因素。
由于攝像機模組在顯示屏的下方,顯示屏的基板中有一些透光率低的膜層(如PI)和不透光的金屬走線(如GE、SD和Anode等),這將嚴重削弱外界光的透過率并產生顯著的“紗窗效應”從而影響屏下攝像頭對圖像的獲取效果。為了保證攝像機模組能接收到更多的光,所以在面板內挖的透光區的直徑也較大,這就導致了達不到高屏幕占比的目的。
因此,確有必要來開發一種新型的顯示面板,以克服現有技術的缺陷。
發明內容
本發明的一個目的是提供一種顯示面板,其能夠解決現有技術中面板層疊的透光率小、開孔直徑過大等問題。
為實現上述目的,本發明提供一種顯示面板,包括顯示區,所述顯示區具有透光區以及圍繞所述透光區的主顯示區;在所述透光區,所述顯示面板具有集成光纖層,所述集成光纖層中具有若干光纖,所述光纖具有射入端和射出端,光線從所述光纖的射入端經所述光纖的內部反射至所述光纖的射出端。
進一步的,在其他實施方式中,其還包括陣列基板,所述陣列基板上形成有陣列排布的子像素;以及發光層,所述發光層設于所述陣列基板上;在所述透光區,所述集成光纖層設于所述陣列基板的下方,每一光纖的射入端連接至所述陣列基板下方。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述發光層包括若干陣列排布的發光單元,相鄰的所述發光單元之間存在有間隙,光線通過所述間隙進入所述光纖的射入端。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述光纖直徑相同或不同。
進一步的,在其他實施方式中,其中當所述光纖直徑相同時,每一光纖的直徑范圍為2μm-3μm。
進一步的,在其他實施方式中,其中當所述光纖直徑不同時,每一光纖的直徑范圍為1μm-3μm。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述透光區內的所述發光單元的分布密度等于所述主顯示區內的所述發光單元的分布密度;或者每一發光單元對應一子像素,所述透光區內的所述子像素的分布密度等于所述主顯示區內的所述子像素的分布密度。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述透光區內的所述發光單元的分布密度小于所述主顯示區內的所述發光單元的分布密度;或者每一發光單元對應一子像素,所述透光區內的所述子像素的分布密度小于所述主顯示區內的所述子像素的分布密度。
進一步的,在其他實施方式中,其中所述集成光纖層的厚度范圍20μm-30μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





