[發(fā)明專利]基于BCD工藝的PNP型高壓ESD器件及LDMOS

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911028049.7
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN112736078A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林威
• 申請（專利權(quán)）人: 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L27/02
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 薛琦;張冉

1.一種基于BCD工藝的PNP型高壓ESD器件，包括P型集電極、P型發(fā)射極以及位于所述P型集電極和所述P型發(fā)射極之間的第一STI，所述第一STI的標(biāo)準(zhǔn)長度表示為L；

其特征在于，所述第一STI的長度為所述PNP型高壓ESD器件還包括多晶硅柵，所述多晶硅柵位于所述第一STI和所述P型發(fā)射極相鄰的兩端的上部區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的基于BCD工藝的PNP型高壓ESD器件，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)長度的取值范圍為1～2微米。

3.如權(quán)利要求1所述的基于BCD工藝的PNP型高壓ESD器件，其特征在于，所述PNP型高壓ESD器件為PNP型三極管。

4.如權(quán)利要求1所述的基于BCD工藝的PNP型高壓ESD器件，其特征在于，所述PNP型高壓ESD器件的工作電壓的范圍為40～65V。

5.如權(quán)利要求1所述的基于BCD工藝的PNP型高壓ESD器件，其特征在于，所述PNP型高壓ESD器件還包括：N型基極、P襯底、高壓N阱、P型漂移區(qū)、N型漂移區(qū)、第二STI、第三STI、第四STI、第一N阱和第二N阱；

所述高壓N阱位于所述P襯底中；

所述P型漂移區(qū)和所述N型漂移區(qū)設(shè)置于所述高壓N阱中且相鄰；

所述P型發(fā)射極遠(yuǎn)離所述第一STI的一側(cè)依次為所述第三STI、所述N型基極以及所述第四STI；

所述第二STI位于所述P型集電極遠(yuǎn)離所述第一STI的一側(cè)；

所述P型漂移區(qū)橫跨所述第一STI和所述第二STI之間的區(qū)域；

所述N型漂移區(qū)橫跨所述第一STI和所述第四STI之間的區(qū)域；

所述第一N阱和所述第二N阱設(shè)置于所述N型漂移區(qū)中；

所述第一N阱橫跨所述多晶硅柵和所述第三STI之間的區(qū)域；

所述第二N阱橫跨所述第三STI和所述第四STI之間的區(qū)域。

6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的基于BCD工藝的PNP型高壓ESD器件，其特征在于，所述BCD工藝的節(jié)點(diǎn)范圍為65～180nm。

7.一種LDMOS，其特征在于，所述LDMOS包括如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的基于BCD工藝的PNP型高壓ESD器件。

8.如權(quán)利要求7所述的LDMOS，其特征在于，所述LDMOS為高壓LDMOS。