[發(fā)明專利]一種分柵快閃存儲器的版圖、掩膜版及版圖制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911025730.6 | 申請日: | 2019-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN110828463B | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳宏 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/11517 | 分類號: | H01L27/11517;G03F1/76 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 分柵快 閃存 版圖 掩膜版 制作方法 | ||
1.一種分柵快閃存儲器的版圖,其特征在于,所述分柵快閃存儲器的版圖包括一浮柵版圖層,所述浮柵版圖層包括浮柵圖形區(qū)和冗余圖形區(qū),所述冗余圖形區(qū)圍繞所述浮柵圖形區(qū)設(shè)置,且與所述浮柵圖形區(qū)保持設(shè)定距離;所述分柵快閃存儲器的版圖還包括一字線版圖層,所述字線版圖層位于所述浮柵版圖層上方。
2.如權(quán)利要求1所述的分柵快閃存儲器的版圖,其特征在于,所述設(shè)定距離的范圍為1.5μm~2.5μm。
3.如權(quán)利要求1所述的分柵快閃存儲器的版圖,其特征在于,所述冗余圖形區(qū)包括至少一冗余圖形,所述冗余圖形呈矩形框狀。
4.如權(quán)利要求3所述的分柵快閃存儲器的版圖,其特征在于,當所述冗余圖形的數(shù)量大于或等于2個時,所有所述冗余圖形呈同心狀分布。
5.一種分柵快閃存儲器的掩膜版,其特征在于,所述分柵快閃存儲器的掩膜版通過利用權(quán)利要求1~4中任一項所述的分柵快閃存儲器的版圖制成。
6.一種分柵快閃存儲器版圖的制作方法,其特征在于,包括:
獲取原始版圖,所述原始版圖包括一浮柵版圖層和位于所述浮柵版圖層上方的字線版圖層,所述浮柵版圖層包括一浮柵圖形區(qū);
形成一冗余圖形區(qū),所述冗余圖形區(qū)圍繞所述浮柵圖形區(qū)設(shè)置,且與所述浮柵圖形區(qū)保持設(shè)定距離。
7.如權(quán)利要求6所述的分柵快閃存儲器版圖的制作方法,其特征在于,所述設(shè)定距離的范圍為1.5μm~2.5μm。
8.如權(quán)利要求6所述的分柵快閃存儲器版圖的制作方法,其特征在于,所述冗余圖形區(qū)包括至少一冗余圖形,所述冗余圖形呈矩形框狀。
9.如權(quán)利要求8所述的分柵快閃存儲器版圖的制作方法,其特征在于,當所述冗余圖形的數(shù)量大于或等于2個時,所有所述冗余圖形呈同心狀分布。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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