[發(fā)明專利]防塵薄膜組件的剝離方法及防塵薄膜組件的剝離裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911025180.8 | 申請日: | 2019-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN111103756A | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 濱田裕一 | 申請(專利權(quán))人: | 信越化學(xué)工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/64 | 分類號: | G03F1/64 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 防塵 薄膜 組件 剝離 方法 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種防塵薄膜組件的剝離方法及防塵薄膜組件的剝離裝置,將以粘著層(14)粘著于曝光原板(1)的防塵薄膜組件(10)從曝光原板(1)剝離;該組件(10)具有:防塵薄膜(12),通過防塵薄膜用接著劑(13)張?jiān)O(shè)于防塵薄膜框架(11)的一側(cè)的端面;粘著層(14),設(shè)置于防塵薄膜框架(11)的另一側(cè)的端面。在設(shè)置于防塵薄膜框架外側(cè)面的治具孔(30)插入防塵薄膜框架支持銷(21),使支持銷(21)朝向粘著層(14)從曝光原板(1)剝離的方向移動(dòng),此時(shí),測量作用在支持銷(21)的剝離力,并在進(jìn)行控制以使該剝離力降至最小的狀況下,將組件(10)從曝光原板(1)剝離。由此,可在將防塵薄膜組件從曝光原板剝離時(shí),減少殘留于曝光原板上的殘?jiān)⒖稍谌岷偷那逑礂l件下實(shí)施曝光原板的再清洗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于作為制造LSI(Large Scale Integration,大型集成電路)、超LSI等半導(dǎo)體裝置或液晶顯示板時(shí)的光刻用遮罩的防塵器而使用的防塵薄膜組件的剝離方法及防塵薄膜組件的剝離裝置。
背景技術(shù)
在制造LSI、超LSI等半導(dǎo)體裝置或液晶顯示板等時(shí),將曝光原板重疊于半導(dǎo)體晶圓或液晶基板的光致抗蝕劑涂布面,并照射平行光而將潛影圖案形成于光致抗蝕劑。此時(shí),若塵埃附著于曝光原板,則此塵埃會吸收光線或會使光線彎曲,因此,除了會造成轉(zhuǎn)印后的圖案變形、邊緣粗糙外,還會使基底臟污,而產(chǎn)生損害到尺寸、品質(zhì)、外觀的問題。又,本發(fā)明中,所謂“曝光原板”,是指光刻用遮罩及倍縮遮罩的總稱。
因此,雖然光刻作業(yè)通常在無塵室進(jìn)行,但盡管如此也難以總是保持潔凈,故采取貼附防塵薄膜組件的方法;該防塵薄膜組件具有在曝光原板的圖案面作為防塵器使用的能使曝光用的光線良好地通過的防塵薄膜。
防塵薄膜組件是一種曝光原板用防塵保護(hù)蓋體,其具有:防塵薄膜框架(框體);防塵薄膜,張?jiān)O(shè)于防塵薄膜框架的上端面;粘著層,設(shè)置于防塵薄膜框架的下端面;以及襯墊,以保護(hù)粘著層為目的;該防塵薄膜組件以其粘著層粘附于曝光原板的圖案面。
當(dāng)將防塵薄膜組件貼附于曝光原板的圖案面時(shí),防塵薄膜組件位于包圍圖案區(qū)域的位置,并以防塵薄膜組件外部的塵埃不會附著的方式,將圖案區(qū)域與防塵薄膜組件外部在厚度方向上分離;塵埃以不會直接附著于曝光原板表面上的方式,附著于防塵薄膜上。只要在光刻時(shí)將焦點(diǎn)對準(zhǔn)至曝光原板的圖案上,防塵薄膜上的塵埃并不會對轉(zhuǎn)印產(chǎn)生影響。
在將防塵薄膜組件粘附至曝光原板時(shí),通常通過專用的裝置或是冶具進(jìn)行。不論使用何種裝置進(jìn)行,基本上動(dòng)作共通,是在調(diào)整完防塵薄膜組件與曝光原板相互的位置關(guān)系后,再將防塵薄膜框架與曝光原板平行地加壓一定時(shí)間,由此,粘附防塵薄膜組件。
此外,近年,LSI的設(shè)計(jì)規(guī)范朝向線寬在分季微米(0.25微米以下)的微細(xì)化演進(jìn),伴隨于此,曝光光源亦朝向短波長化演進(jìn)。具體而言,是從迄今為止作為主流的水銀燈具的發(fā)光頻譜亦即g線(436nm)、i線(365nm),逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)镵rF準(zhǔn)分子激光(248nm)、ArF準(zhǔn)分子激光(193nm)、F2激光(157nm)等。線寬朝向微細(xì)化演進(jìn)的結(jié)果,有可能在粘附有防塵薄膜組件的曝光原板的圖案面產(chǎn)生的異物或霧靄(Haze)所容許的大小也日趨嚴(yán)格。
又,近年所使用的遮罩基板的膜,為了順應(yīng)設(shè)計(jì)規(guī)范的微細(xì)化,在相移遮罩(Phase-Shifting Mask:PSM)中一般普遍開始采用相移膜。相移膜非常脆弱,在過度的遮罩清洗下,有受到損壞的可能。又,相移遮罩是一種曝光原板,其附加相移膜而控制通過此部分的光的相位或透射系數(shù),由此改善對于晶圓的曝光時(shí)的解析度或焦點(diǎn)深度(DOF:Depthof Focus),而使轉(zhuǎn)印特性提高。
粘附至曝光原板后的防塵薄膜組件,在因某種原因而有異物或霧靄產(chǎn)生時(shí),或在防塵薄膜受到損壞時(shí),若需要重新貼附,不得不先將其剝離。又,需進(jìn)行稱為“更新防塵薄膜組件”的作業(yè),亦即,將剝離防塵薄膜組件后的曝光原板再清洗,并將新的防塵薄膜組件重新貼附。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





