[發明專利]中介層的制造方法有效
| 申請號: | 201911024817.1 | 申請日: | 2019-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN111128751B | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發明(設計)人: | 贠明輝;楊道國;段易;蔡苗;張國旗 | 申請(專利權)人: | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 汪海屏;王淑梅 |
| 地址: | 541004 廣西*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 中介 制造 方法 | ||
1.一種中介層的制造方法,其特征在于,包括:
在載板上設置粘接層;
在粘接層上設置第一支撐層;
在所述第一支撐層上設置至少一層重布層;
在所述至少一層重布層上設置第二支撐層;
其中,所述第一支撐層、所述至少一層重布層和所述第二支撐層中至少一層通過模壓固化成型;
其中,在所述粘接層上設置所述第一支撐層包括:
在所述粘接層上設置第一光刻層;
蝕刻所述第一光刻層,以在所述第一光刻層上形成多個第一安裝孔位;
在所述多個第一安裝孔位中的每個第一安裝孔位內設置第一導電柱;
去除所述第一光刻層;
在多個所述第一導電柱之間的間隙內填充塑封料;
模壓固化塑封料,以形成所述第一支撐層。
2.根據權利要求1所述的中介層的制造方法,其特征在于,所述第一支撐層、所述至少一層重布層和所述第二支撐層中至少一層通過模壓固化成型包括:
設置光刻層;
蝕刻所述光刻層,以在所述光刻層上形成多個安裝孔位;
在所述多個安裝孔位中的每個安裝孔位內設置導電體;
去除所述光刻層;
在多個導電體之間的間隙內填充塑封料;
模壓固化所述塑封料。
3.根據權利要求2所述的中介層的制造方法,其特征在于,在多個導電體之間的間隙內填充塑封料之前,所述第一支撐層、所述至少一層重布層和所述第二支撐層中至少一層通過模壓固化成型還包括:
在所述導電體的端部表面設置輔助膜。
4.根據權利要求2所述的中介層的制造方法,其特征在于,在所述多個安裝孔位中的每個安裝孔位內設置導電體包括:
在所述多個安裝孔位中的每個安裝孔位內粘貼、沉積、電鍍、化學鍍、濺射、印刷或打印導電體。
5.根據權利要求1所述的中介層的制造方法,其特征在于,在所述第一支撐層上設置至少一層重布層包括:
在所述第一支撐層上設置第二光刻層;
蝕刻所述第二光刻層,以在所述第二光刻層上形成多個第二安裝孔位和至少一個第三安裝孔位;
在所述多個第二安裝孔位中的每個第二安裝孔位內設置第二導電柱;
在所述至少一個第三安裝孔位內設置第一導線;
在所述第一導線上設置第三光刻層;
蝕刻所述第三光刻層,在所述第三光刻層上形成多個第四安裝孔位;
在所述多個第四安裝孔位內設置第二導線;
去除所述第二光刻層和所述第三光刻層;
在所述第二導電柱、所述第一導線和所述第二導線之間的間隙內填充塑封料;
模壓固化塑封料,以形成第一重布層;
其中,所述第二導電柱與所述第一導電柱相對設置。
6.根據權利要求5所述的中介層的制造方法,其特征在于,在所述第一支撐層上設置至少一層重布層還包括:
在所述第一重布層上設置第四光刻層;
蝕刻所述第四光刻層,以在所述第四光刻層上形成多個第五安裝孔位;
在所述多個第五安裝孔位中的每個第五安裝孔位內設置第三導線;
在所述第三導線上設置第五光刻層;
蝕刻所述第五光刻層,在所述第五光刻層上形成多個第七安裝孔位;
在所述第七安裝孔位內設置第三導電柱;
去除所述第四光刻層和所述第五光刻層;
在所述第三導電柱和所述第三導線之間的間隙內填充塑封料;
模壓固化塑封料,以形成第二重布層。
7.根據權利要求6所述的中介層的制造方法,其特征在于,在所述至少一層重布層上設置第二支撐層包括:
在所述至少一層重布層上設置第六光刻層;
蝕刻所述第六光刻層,以在所述第六光刻層上形成多個第八安裝孔位;
在所述多個第八安裝孔位中的每個第八安裝孔位內設置第四導電柱;
去除所述第六光刻層;
在多個所述第四導電柱之間的間隙內填充塑封料;
模壓固化塑封料,以形成所述第二支撐層;
其中,所述第四導電柱和所述第三導電柱相對設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





