[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911024429.3
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN111128885B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳雲(yún)驥;楊宗諭;徐丞伯;劉建宏
• 申請（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/08
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，包含：

形成一柵極介電層于一半導(dǎo)體層之上；

形成一柵極電極層于該柵極介電層之上；

形成一第一柵極遮罩于該柵極電極層之上；

使用該第一柵極遮罩作為一蝕刻模板，蝕刻該柵極電極層以形成一第一柵電極，其中該第一柵電極具有沿著該第一柵電極的一中心的一第一長軸；

使用該第一柵極遮罩和該第一柵電極作為一布植模板，植入一第一摻雜劑至該半導(dǎo)體層中以在該半導(dǎo)體層中形成一第一摻雜區(qū)；

形成一第二柵極遮罩于該柵極電極層之上；

使用該第二柵極遮罩作為一蝕刻模板，蝕刻該柵極電極層以形成一第二柵電極，該第二柵電極具有沿著該第二柵電極的一中心的一第二長軸，其中該第二長軸是平行于該第一長軸，且該第二柵電極接觸該第一柵電極；以及

使用該第二柵極遮罩作為一布植模板，植入一第二摻雜劑以形成一第二摻雜區(qū)于該半導(dǎo)體層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第一柵極遮罩包含一硬遮罩層以及位于該硬遮罩層之上的一光阻層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該第一柵極遮罩包含位于該硬遮罩層之上的一底部抗反射涂層以及位于該底部抗反射涂層之上的一平坦化層，其中該光阻層是位于該平坦化層之上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包含蝕刻該柵極介電層，該柵極介電層使用該第一柵極遮罩作為一蝕刻模板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，蝕刻該柵極介電層包含在植入該第一摻雜劑之后蝕刻該柵極介電層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第二長軸相對于該第一長軸橫向偏移。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包含：

在植入該第一摻雜劑之后，形成與該第一柵電極相鄰的一第一側(cè)壁間隔物；以及

使用該第一側(cè)壁間隔物和該第一柵電極作為一布植模板，植入一第二摻雜劑以形成一第二摻雜區(qū)于該半導(dǎo)體層中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該第一摻雜區(qū)延伸至該半導(dǎo)體層的一頂面下方的一第一深度，該第二摻雜區(qū)延伸至該半導(dǎo)體層的該頂面下方的一第二深度，且該第二深度是小于該第一深度。

9.一種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，包含：

形成一柵極介電層于一半導(dǎo)體層之上；

形成一柵極電極層于該柵極介電層之上；

形成一第一柵極遮罩于該柵極電極層之上；

使用該第一柵極遮罩作為一蝕刻模板，蝕刻該柵極電極層以形成一第一柵電極，其中該第一柵電極具有沿著該第一柵電極的一中心定義的一第一長軸；

使用該第一柵極遮罩作為一布植模板，植入一第一摻雜劑至該半導(dǎo)體層中，以在該半導(dǎo)體層中形成一第一摻雜區(qū)，其中該第一摻雜區(qū)延伸至該半導(dǎo)體層的一頂面下方的一第一深度；

在植入該第一摻雜劑之后，形成與該第一柵電極相鄰的一第一側(cè)壁間隔物；

使用該第一側(cè)壁間隔物和該第一柵電極作為一布植模板，植入一第二摻雜劑，以在該半導(dǎo)體層中形成一第二摻雜區(qū)，其中該第二摻雜區(qū)延伸至該半導(dǎo)體層的該頂面下方的一第二深度，且該第二深度是小于該第一深度；

形成一第二柵極遮罩于該柵極電極層之上；

使用該第二柵極遮罩作為一蝕刻模板，蝕刻該柵極電極層以形成一第二柵電極，該第二柵電極具有沿著該第二柵電極的一中心定義的一第二長軸，其中該第二長軸是平行于該第一長軸且該第二柵電極接觸該第一柵電極；以及

使用該第二柵極遮罩作為一布植模板，植入一第三摻雜劑以形成一第三摻雜區(qū)于該半導(dǎo)體層中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還包含蝕刻該柵極介電層，該柵極介電層使用該第一柵極遮罩作為一蝕刻模板。