[發明專利]一種具有終端保護結構的功率器件制備方法

在審

• 申請號: 201911024199.0
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN110931360A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 錢夢亮;張俊
• 申請（專利權）人: 江蘇東晨電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L21/265
• 代理公司: 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614
• 代理人: 尹慧晶

1.一種具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：它包括以下步驟：

S1、進行濕氧氧化層的生長；

S2、進行終端保護環(3)的注入，推進，生成場氧化層(4)；

S3、進行有源區的光刻，再用濕法腐蝕進行有源區的刻蝕；

S4、進一步采用濕氧氧化進行柵氧化層(6)生長，然后進行多晶硅層(5)淀積；

S5、進行多晶硅層(5)刻蝕，P阱區(7)的注入及推進；

S6、在鄰近的終端保護環(3)之間刻蝕形成P阱條(13)注入窗口，進行P阱條(13)的注入及推進；

S7、進行功率MOSFET的N+源區(8)的注入和推進；

S8、LPCVD淀積TEOS和BPSG；進行回流并完成孔的光刻和刻蝕；進行功率MOSFET的P+濃硼區(9)的注入，推進；

S9、濺射金屬鋁層；進行金屬的光刻和刻蝕，PECVD淀積Si₃N₄層，光刻和刻蝕Si₃N₄，減薄及背面金屬化，完成制造。

2.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：步驟S1中，濕氧氧化溫度為800-900℃，氧化層的生長厚度為500A。

3.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：步驟S2中，終端保護環(3)的注入能量80KeV，劑量5E14cm^-2，推進溫度是800-1000℃，場氧化層(4)的厚度為10000A-15000A。

4.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：步驟S4中，柵氧化層(6)的厚度為700-800A，多晶硅層(5)的厚度為6000A-10000A。

5.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：步驟S5中，P阱區(7)的注入能量80KeV，劑量6E13cm^-2；推進溫度1000℃，時間為150-180分鐘。

6.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：步驟S6中，P阱條(13)的注入劑量2E11，推進溫度為800-1000℃，時間70-90分鐘。

7.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：步驟S7中，N+源區(8)的注入能量80KeV，劑量1.2E16cm^-2；推進溫度900℃下進行推進，時間為150分鐘。

8.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：步驟S8中，淀積的TEOS層厚度為1500-1800A；BPSG層厚度為7500-8000A；P+濃硼區(9)的注入能量100-110KeV，劑量2E15cm^-2，推進溫度為800-900℃，時間為100分鐘，濺射金屬鋁層的厚度為4-5微米。

9.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：所述終端保護環(3)為兩個，從中心有源區向外圍依次設置；終端保護環(3)采用環形溝槽多晶硅陣列。

10.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：所述P阱條(13)為多個，與終端保護環(3)垂直方向設置。

11.根據權利要求1所述的具有終端保護結構的功率器件制備方法，其特征在于：相鄰P阱條(13)之間的距離為0.5um-3um；P阱條(13)的寬度范圍是0.5um-3um。