[發明專利]一種顯示器件制造方法及顯示器件有效
| 申請號: | 201911023617.4 | 申請日: | 2019-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN110993568B | 公開(公告)日: | 2023-06-20 |
| 發明(設計)人: | 劉超;孫海威;董學;龔林輝;崔強偉 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L27/12;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;劉偉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 器件 制造 方法 | ||
1.一種顯示器件制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一襯底基板,所述襯底基板包括相背設置的第一表面和第二表面,且所述襯底基板包括顯示區域和綁定區域,所述顯示區域的至少一側為綁定側,所述綁定區域位于所述綁定側;
在所述襯底基板的第一表面上、所述綁定區域處形成外圍線路,在所述外圍線路上覆蓋柔性絕緣薄膜;
去除所述襯底基板的綁定區域,以使所述外圍線路從所述襯底基板剝離至所述柔性絕緣薄膜上,且所述柔性絕緣薄膜的一部分連接在所述襯底基板上,另一部分超出所述襯底基板;
所述柔性絕緣薄膜用于為所述外圍線路提供基底,彎折所述柔性絕緣薄膜的超出所述襯底基板的部分,并固定于所述襯底基板的第二表面一側;
所述在所述襯底基板的第一表面上、所述綁定區域處形成外圍線路之前,所述方法還包括:在所述襯底基板的綁定區域形成激光犧牲層。
2.根據權利要求1所述的顯示器件制造方法,其特征在于,
所述在所述襯底基板的第一表面上、所述綁定區域處形成外圍線路之前,所述方法還包括以下至少一種:
在所述襯底基板的顯示區域形成用于增加金屬層與襯底基板之間粘附力的緩沖剝離層;
在所述襯底基板的綁定區域處形成用于降低金屬層與襯底基板之間的粘附力的剝離層。
3.根據權利要求2所述的顯示器件制造方法,其特征在于,
所述在所述襯底基板的綁定區域形成激光犧牲層,具體包括:
在所述襯底基板的第一表面上整面覆蓋緩沖層,在所述緩沖層的綁定區域處沉積能夠吸收激光的犧牲層材料,以形成所述激光犧牲層。
4.根據權利要求3所述的顯示器件制造方法,其特征在于,
所述激光犧牲層可以為聚對二甲苯、金屬氧化物、氮化硅、二氧化硅、非晶硅、三五族半導體、六甲基二硅胺烷中的一種或幾種的組合。
5.根據權利要求2所述的顯示器件制造方法,其特征在于,
當在所述襯底基板的顯示區域形成用于增加金屬層與襯底基板之間的粘附力緩沖剝離層時,所述方法還包括:在所述去除所述襯底基板的綁定區域之后,在所述外圍線路上綁定驅動芯片;
當在所述襯底基板的綁定區域處形成用于降低金屬層與襯底基板之間的粘附力的剝離層時,所述方法還包括:在所述綁定區域的外圍線路上覆蓋柔性絕緣薄膜之前,在所述外圍線路上綁定驅動芯片;
當在所述襯底基板綁定區域形成激光犧牲層時,所述方法中,所述去除所述襯底基板的綁定區域時,去除所述激光犧牲層,且在所述綁定區域的外圍線路上覆蓋柔性絕緣薄膜之前,所述方法還包括:在所述外圍線路上綁定驅動芯片。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述方法還包括:
在所述去除所述襯底基板的綁定區域之后,所述彎折所述柔性絕緣薄膜的超出所述襯底基板的部分之前,在所述襯底基板的去除所述綁定區域之后的切割邊緣涂覆保護膠。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述去除所述襯底基板的綁定區域,以使所述外圍線路從所述襯底基板剝離至所述柔性絕緣薄膜上,且所述柔性絕緣薄膜的一部分連接在所述襯底基板上,另一部分超出所述襯底基板外,具體包括:
采用機械切割方式或者激光切割方式,去除所述襯底基板的綁定區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





