[發明專利]自適應識別閃存類型方法及計算機可讀取存儲介質及裝置

有效

• 申請號: 201911023383.3
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN110955387B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 陳雙喜;鄭誠
• 申請（專利權）人: 合肥沛睿微電子股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 李有財

本發明涉及一種自適應識別閃存類型方法，由處理器執行，包含：驅動在特定設置狀態下的閃存接口使用特定通信協議發出用于讀取NAND閃存標識符的讀取命令給NAND閃存模塊；如果讀取失敗，改變閃存接口的設置狀態、通信協議，或以上兩者，再進行一次讀取操作，直到預設的調整都嘗試過為止；以及如果讀取成功，將讀出的NAND閃存標識符存儲到非易失性存儲器。通過如上的自動化方法能夠解決傳統用人工識別再燒錄電子熔絲所產生的高成本及制造彈性低的缺點。

技術領域

本發明涉及存儲裝置，尤指一種自適應識別閃存類型方法及計算機可讀取存儲介質及裝置。

背景技術

在固態硬盤(Solid-state disk，SSD)、優盤(Pen-drive)、SD卡等各種存儲產品中，會使用到很多類型的NAND閃存，比如廠商有英特爾(Intel)、美光(Micron)、東芝(TOSHIBA)、三星(SAMSUNG)、海力士(HYNIX),類別有單層單元(Single-level cell，SLC)、多層單元(Multi-level cell，MLC)、三層單元(Triple-level cell，TLC)、四層單元(Quad-level cell，QLC)，接口有單倍數據率(Single data rate，SDR)、第二代雙倍數據率(Double data rate 2，DDR2)、第三代雙倍數據率(Double data rate 3，DDR3)等。不同廠商不同類別的NAND閃存,支持的命令格式是不一樣的，所以需要先知道NAND閃存具體類別，才能下正確的命令去訪問NAND閃存，并得到正確的結果。

現有技術的做法是在還沒開卡前，用人工的方式得知連接于主控的NAND閃存的制造廠商與類別等信息，然后將相應的NAND閃存的標識符(Identity，ID)燒錄至主控中的電子熔絲(eFuse)結構，并且在重啟(Reset)后根據電子熔絲中的信息將對應的NAND閃存固件(Firmware FW)寫入主控中的非易失性存儲空間或者NAND閃存中，用于在存儲產品出廠后讓主機能夠通過主控集成電路(Integrated Circuit，IC)運行的固件來訪問NAND閃存并存取其中的數據。然而，電子熔絲結構的成本較高。此外，電子熔絲的信息一旦燒錄后便不能抹除，使得在更換成不同制造廠商或不同類別的NAND閃存后，電子熔絲結構中存儲的NAND閃存ID與新設置的NAND閃存不一致。如果根據舊的NAND閃存ID而獲得的固件，并無法正確的訪問新設置的NAND閃存。因此，一旦印刷電路板上設置的NAND閃存更換后，用來操作NAND閃存的主控IC也必須一并更換，使得制造存儲產品時不具彈性。為克服以上技術問題，本發明實施例提出一種自適應識別閃存類型方法及計算機可讀取存儲介質及裝置，用于自動識別NAND閃存類型，以及自動將識別的所述NAND閃存標識符存儲到非易失性存儲器，使得電子裝置能夠依據所述NAND閃存標識符將相應的固件寫入主控集成電路中的非易失性存儲器或以及所述NAND閃存模塊中的指定地址。

發明內容

有鑒于此，如何減輕或消除上述相關領域的缺失，實為有待解決的問題。

本發明涉及一種自適應識別閃存類型方法，由處理器執行，包含：驅動在特定設置狀態下的閃存接口使用特定通信協議發出用于讀取NAND閃存標識符的讀取命令給NAND閃存模塊；如果讀取失敗，改變閃存接口的設置狀態、通信協議，或以上兩者，再進行一次讀取操作，直到預設的調整都嘗試過為止；以及如果讀取成功，將讀出的NAND閃存標識符存儲到非易失性存儲器。

本發明更涉及一種自適應識別閃存類型的計算機可讀取存儲介質，用于存儲能夠被處理器執行的程序代碼，該計算機程序被該處理單元執行時實現如上所述的方法步驟。

本發明更涉及一種自適應識別閃存類型裝置，包含閃存接口、非易失性存儲器及處理器。閃存接口耦接NAND閃存模塊，處理器耦接閃存接口及非易失性存儲器。處理器用于加載及執行關聯程序代碼時實現如上所述的方法步驟。

上述實施例的優點之一，通過如上的自動化方法能夠解決傳統用人工識別再燒錄電子熔絲所產生的高成本及制造彈性低的缺點。