[發明專利]一種吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬方法、系統及存儲介質

有效

• 申請號: 201911020779.2
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN110782952B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 吳正新;孫慧斌;何承發;趙海歌;劉國卿;胡世鵬;鐘健;甘林;羅奇;郝昕
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: G16C10/00
• 分類號: G16C10/00;G16C20/10
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬方法，其特征在于，包括：

建立中空三維屏蔽模型；

根據半導體器件材料特性，在所述三維屏蔽模型內建立由金薄膜層和半導體層組成的三維界面網格模型；

模擬X射線照射所述三維屏蔽模型，獲取X射線入射到所述半導體層不同位置網格中沉積的能量；

根據獲取到的不同位置網格中沉積的能量、所述半導體層密度及網格體積得到所述半導體層不同深度的吸收劑量；

所述根據半導體器件材料特性，在所述三維屏蔽模型內建立由金薄膜層和半導體層組成的三維界面網格模型的步驟包括：

根據半導體器件材料特性，通過預先設定的曲面卡在所述三維屏蔽模型內建立由金薄膜層和半導體層組成的三維界面模型；

將所述半導體層沿深度方向和XY方向進行網格劃分，建立由金薄膜層和半導體層組成的三維界面網格模型；

所述通過預先設定的曲面卡在所述三維屏蔽模型內建立由金薄膜層和半導體層組成的三維界面模型的步驟包括：

通過預先設定的柵元卡確定金薄膜層和半導體層的形狀和大小，通過預先設定的曲面卡確定金薄膜層和半導體層的位置，通過預先設定的材料卡確定金薄膜層和半導體層的密度；

通過所述金薄膜層和半導體層的形狀和大小、所述金薄膜層和半導體層的位置和所述金薄膜層和半導體層的密度建立由金薄膜層和半導體層組成的三維界面模型。

2.根據權利要求1所述的吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬方法，其特征在于，所述三維屏蔽模型由鉛外層和鋁內層構成。

3.根據權利要求2所述的吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬方法，其特征在于，所述建立中空三維屏蔽模型的步驟包括：

通過預先設定的柵元卡確定鉛外層和鋁內層的形狀和大小，通過預先設定的曲面卡確定鉛外層和鋁內層的位置，通過預先設定的材料卡確定鉛外層和鋁內層的密度建立中空三維屏蔽模型。

4.根據權利要求1所述的吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬方法，其特征在于，所述半導體層沿深度方向劃分的網格數為4層5um、4層10um以及45層100um。

5.根據權利要求1所述的吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬方法，其特征在于，所述模擬X射線照射所述三維屏蔽模型的步驟包括：

通過預先設定的源卡獲取X射線的發射方向和能量大小，模擬X射線照射所述三維屏蔽模型。

6.根據權利要求5所述的吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬方法，其特征在于，所述X射線垂直照射到所述三維屏蔽盒上，所述X射線粒子數為2e9。

7.根據權利要求1所述的吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬方法，其特征在于，所述根據獲取到的不同位置網格中沉積的能量、所述半導體層密度及網格體積得到所述半導體層不同深度的吸收劑量的步驟具體包括：

根據所述半導體層密度及網格體積得到所述半導體層不同位置網格的質量；

將獲取到的不同位置網格中沉積的能量除以對應位置網格的質量得到所述半導體層不同深度的吸收劑量。

8.一種吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬系統，其特征在于，包括：處理器、與處理器通信連接的存儲介質，所述存儲介質適于存儲多條指令；所述處理器適于調用所述存儲介質中的指令，以執行實現上述權利要求1-7任一項所述的吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬方法的步驟。

9.一種存儲介質，其上存儲有多條指令，其特征在于，所述指令適于由處理器加載并執行，以執行實現上述權利要求1-7任一項所述的吸收劑量的定量蒙特卡羅模擬方法的步驟。