[發明專利]一種應用于多堿光電陰極的復合光學薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201911020021.9
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN110783157B
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 趙偉林;趙恒;曾進能;趙學峰;常樂;何雁彬;龔燕妮;李廷濤
• 申請（專利權）人: 北方夜視技術股份有限公司
• 主分類號: H01J1/34
• 分類號: H01J1/34;H01J9/12;G02B1/113
• 代理公司: 昆明今威專利商標代理有限公司 53115
• 代理人: 歐陽橋

1.一種應用于多堿光電陰極的復合光學薄膜，其特征在于：

所述復合光學薄膜由增透膜與親和膜共同組成，所述親和膜夾在增透薄膜和多堿光電陰極之間；

所述增透膜的材料是TiO₂薄膜，厚度30nm～340nm；

所述親和膜的材料是HfO₂薄膜，厚度5nm～20nm。

2.根據權利要求1所述的應用于多堿光電陰極的復合光學薄膜，其特征在于：

所述增透膜的厚度為223nm。

3.根據權利要求1或2所述的應用于多堿光電陰極的復合光學薄膜，其特征在于：

所述親和膜的厚度為13nm。

4.一種應用于多堿光電陰極的復合光學薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

首先，在硼硅玻璃窗基底上制作復合光學薄膜，分二步：先在玻璃基底上制作TiO₂增透膜，再在增透膜的基礎上制作HfO₂親和膜；

然后，以具有復合光學薄膜的硼硅玻璃窗襯底制作多堿光電陰極，并將所述的具有復合光學薄膜的多堿光電陰極封裝；

最后，測試所述的具有復合光學薄膜的多堿光電陰極的靈敏度及光譜響應曲線是否滿足相比于直接在玻璃窗上利用蒸鍍法制作的多堿光電陰極能夠有效提高陰極靈敏度的要求，若滿足要求則完成制備。

5.根據權利要求4所述的應用于多堿光電陰極的復合光學薄膜的制備方法，其特征在于：

所述制作TiO₂增透膜和制作HfO₂親和膜的制作方法采用原子層沉積法。

6.根據權利要求5所述的應用于多堿光電陰極的復合光學薄膜的制備方法，其特征在于，所述的在玻璃基底上制作TiO₂增透膜步驟具體為：

采用TiCl₄和H₂O分別作為Ti和O的前軀體源，使用高純度的氮氣作為運載氣體， TiO₂薄膜的ALD脈沖每個周期的沉積順序為TiCl₄脈沖時間0.2s ，吹掃時間5s，H₂O 脈沖時間0.2s，吹掃時間5s，總周期數為4300，原子層沉積腔室溫度為220℃。

7.根據權利要求5所述的應用于多堿光電陰極的復合光學薄膜的制備方法，其特征在于，所述的在增透膜的基礎上制作HfO₂親和膜步驟具體為：

采用四甲乙胺鉿和H₂O分別作為Hf和O的前軀體源，使用高純度的氮氣作為運載氣體，HfO₂薄膜的ALD脈沖每個周期的沉積順序為四甲乙胺鉿脈沖時間1.4 s，吹掃時間5s，H₂O脈沖時間 0.2 s，吹掃時間5s，總周期數為100，原子層沉積腔室溫度為220℃；實測TiO₂增透膜厚度為d=223nm，HfO₂親和膜厚度為13nm。