[發明專利]一種石墨炔表面拉曼信號增強的方法

有效

• 申請號: 201911018409.5
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN110596075B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 張躍;溫嘉玲;張錚
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65
• 代理公司: 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401
• 代理人: 皋吉甫

1.一種石墨炔表面拉曼信號增強的方法，其特征在于，所述方法在目標基底上依次轉移石墨炔薄膜和二硫化鉬，得到“基底-石墨炔-二硫化鉬”結構，所述結構的二硫化鉬和石墨炔重疊區域為拉曼信號增強區域；

所述方法具體包括如下步驟：

S1、將石墨炔薄膜利用濕法轉移法轉移到目標基底上；

S2、制備二硫化鉬并將其轉移到步驟S1中得到的目標基底上石墨炔薄膜的表面，得到“基底-石墨炔-二硫化鉬”結構；

S3、對所述結構的二硫化鉬和石墨炔重疊區域進行拉曼光譜檢測，所述重疊區域為拉曼信號增強區域。

2.如權利要求1所述的石墨炔表面拉曼信號增強的方法，其特征在于，所述目標基底為硅基底、石英、陶瓷或柔性基底。

3.如權利要求1所述的石墨炔表面拉曼信號增強的方法，其特征在于，步驟S1具體為：將附有石墨炔的銅箔上勻上聚甲基丙烯酸甲酯，利用氯化鐵溶液刻蝕去除銅箔，再用目標基底撈起附有石墨炔的聚甲基丙烯酸甲酯，清洗，獲得在目標基底上的干凈石墨炔薄膜。

4.如權利要求1或3所述的石墨炔表面拉曼信號增強的方法，其特征在于，所述石墨炔薄膜的厚度為2-10nm。

5.如權利要求1所述的二硫化鉬的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述制備二硫化鉬的方法為機械剝離或化學氣相沉積。

6.如權利要求1所述的石墨炔表面拉曼信號增強的方法，其特征在于，步驟S2具體包括：

S2.1將附有二硫化鉬的基底勻上聚甲基丙烯酸甲酯后，利用氫氟酸溶液刻蝕分離二硫化鉬和硅生長基底；

S2.2利用精確轉移，將二硫化鉬轉移到含有石墨炔薄膜的目標基底后，用丙酮去除聚甲基丙烯酸甲酯，異丙醇清洗，氮氣吹干，獲得“基底-石墨炔-二硫化鉬”結構。

7.如權利要求6所述的石墨炔表面拉曼信號增強的方法，其特征在于，所述硅生長基底為p型摻雜硅基片，其中上層的二氧化硅層厚度為300nm。

8.如權利要求1所述的石墨炔表面拉曼信號增強的方法，其特征在于，步驟S3中，利用532nm激光照射附有二硫化鉬的石墨炔目標基底，并利用拉曼光譜進行檢測，得到增強的石墨炔拉曼峰。