[發明專利]光電轉換器件及有機傳感器和電子設備

在審

• 申請號: 201911017125.4
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN111192961A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 樸敬培;許哲準;尹晟榮;李啟滉;陳勇完
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44;H01L27/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.光電轉換器件，包括：

面向彼此的第一電極和第二電極；

在所述第一電極和所述第二電極之間的光電轉換層，所述光電轉換層配置成吸收光的波長譜的至少一部分中的光并將吸收的光轉換成電信號；以及

在所述第一電極和所述光電轉換層之間的無機納米層，所述無機納米層包括鑭系元素、鈣(Ca)、鉀(K)、鋁(Al)、或其合金。

2.如權利要求1所述的光電轉換器件，其中所述第一電極包括：

具有大于或等于80％的透光率的透明電極，或

具有小于10％的透光率的反射電極。

3.如權利要求2所述的光電轉換器件，其中所述第一電極包括所述透明電極，且所述透明電極包括氧化物導體和碳導體的至少一種。

4.如權利要求1所述的光電轉換器件，其中所述無機納米層的厚度小于或等于5nm。

5.光電轉換器件，包括：

第一電極，所述第一電極包括導體，所述導體為

具有大于或等于80％的透光率的透明導體，或

具有小于10％的透光率的反射導體；

在所述第一電極上的光電轉換層，所述光電轉換層配置成吸收光的至少一部分波長譜中的光并將吸收的光轉換成電信號；以及

在所述光電轉換層上的第二電極，

其中所述第一電極的面向所述光電轉換層的表面被無機納米層覆蓋，所述無機納米層具有小于或等于5nm的厚度，

其中所述第一電極的面向所述光電轉換層的表面處的有效功函數小于所述導體的功函數。

6.如權利要求1或5所述的光電轉換器件，其中所述無機納米層與所述第一電極接觸。

7.如權利要求1或5所述的光電轉換器件，其中

所述無機納米層的一個表面與所述第一電極接觸，并且

所述無機納米層的另一相反表面與所述光電轉換層接觸。

8.如權利要求5所述的光電轉換器件，其中所述導體的功函數與所述第一電極的面向所述光電轉換層的表面處的有效功函數之間的差大于或等于0.5eV。

9.如權利要求5所述的光電轉換器件，其中

所述導體的功函數大于或等于4.5eV，以及

所述第一電極的面向所述光電轉換層的表面處的有效功函數小于或等于4.0eV。

10.如權利要求9所述的光電轉換器件，其中所述第一電極的面向所述光電轉換層的表面處的有效功函數小于或等于3.0eV。

11.如權利要求5所述的光電轉換器件，其中

所述無機納米層包括無機材料，以及

所述無機材料包括鑭系元素、鈣(Ca)、鉀(K)、鋁(Al)、或其合金。

12.如權利要求1或11所述的光電轉換器件，其中所述無機納米層包括鑭系元素，且所述鑭系元素包括鐿(Yb)。

13.如權利要求5所述的光電轉換器件，其中所述透明導體包括氧化物導體或碳導體。

14.如權利要求1或5所述的光電轉換器件，其中所述無機納米層具有小于或等于2nm的厚度。

15.如權利要求1或5所述的光電轉換器件，其中所述第一電極為陰極且所述第二電極為陽極。

16.有機傳感器，包括如權利要求1-15任一項所述的光電轉換器件。

17.如權利要求16所述的有機傳感器，其中所述有機傳感器為有機CMOS圖像傳感器。

18.電子設備，包括如權利要求1-15任一項所述的光電轉換器件或者如權利要求16或17所述的有機傳感器。