[發明專利]一種抗閂鎖效應的溝槽型絕緣柵晶體管器件

有效

• 申請號: 201911014906.8
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN110718586B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 陽平
• 申請（專利權）人: 上海擎茂微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10
• 代理公司: 溫州知遠專利代理事務所(特殊普通合伙) 33262
• 代理人: 湯時達

1.一種抗閂鎖效應的溝槽型絕緣柵晶體管器件，包括芯片本體，芯片本體的邊緣為終端保護區，芯片本體包括N型基區（240）、位于N型基區上方的P型基區（250）、位于P型基區上部的P+接觸區（280）及N+發射極區（260）、位于N型基區下方的N型場終止區（230）、位于N型場終止區下方的P型集電極區（220）、位于P型集電極區下方的集電極金屬層（210）、位于P型基區表面的發射極金屬（211），芯片本體的中部包括元胞區，元胞區內設有多個元胞，其特征在于：芯片本體的中部還包括與所述元胞區隔離的閂鎖測試區，閂鎖測試區內設有閂鎖測試模塊，閂鎖測試模塊包括兩組測試端子組件（310），每組測試端子組件包括位于P+接觸區上方并與P+接觸區連接的閂鎖測試端子（311）。

2.根據權利要求1所述的抗閂鎖效應的溝槽型絕緣柵晶體管器件，其特征在于：兩組測試端子組件的閂鎖測試端子之間連接有電流源。

3.根據權利要求2所述的抗閂鎖效應的溝槽型絕緣柵晶體管器件，其特征在于：還包括電壓測試模塊，電壓測試模塊的兩個輸入端分別與兩組測試端子組件的閂鎖測試端子連接。

4.根據權利要求1所述的抗閂鎖效應的溝槽型絕緣柵晶體管器件，其特征在于：所述元胞包括位于兩個N+發射極區之間的溝槽區（290）、位于溝槽區內側的柵氧化層（291）、位于柵氧化層內側的多晶硅柵極（292）、位于溝槽區上方并介于N+發射極區及發射極金屬之間的絕緣介質層（270）。