[發(fā)明專利]一種功率放大器及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911014056.1 | 申請日： | 2019-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN110719077B | 公開（公告）日： | 2022-08-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蘇強;李平 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州慧智微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/20 | 分類號： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人： | 李昂;張穎玲 |
| 地址： | 510663 廣東省廣州市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 功率放大器 電子設(shè)備 | ||
1.一種功率放大器，其特征在于，包括：功率放大電路和線性度補償電路；
所述線性度補償電路連接在所述功率放大電路的偏置電路與晶體管放大電路之間，用于對所述功率放大電路的非線性失真進行線性補償；
所述晶體管放大電路為場效應(yīng)管放大電路，所述線性度補償電路包括：第一場效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容和第三電容；
所述第一場效應(yīng)管的柵極連接所述第二電阻的第一端，所述第二電阻的第二端連接所述偏置電路，所述第一場效應(yīng)管的源極連接所述第一電阻的第一端，所述第一電阻的第二端接地，所述第一電容與所述第一電阻并聯(lián)，所述第一場效應(yīng)管的漏極連接所述第三電容的第一端，所述第三電容的第二端連接所述場效應(yīng)管放大電路，所述第二電容的第一端連接所述第一場效應(yīng)管的柵極，所述第二電容的第二端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述場效應(yīng)管放大電路為多級場效應(yīng)管放大電路，所述第三電容的第二端連接所述多級場效應(yīng)管放大電路中驅(qū)動級的場效應(yīng)管的柵極。
3.如權(quán)利要求2所述的功率放大器，其特征在于，每個所述場效應(yīng)管由至少兩個并聯(lián)的子場效應(yīng)管構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述場效應(yīng)管包括以下任意一種：LDMOS管、SOI管、CMOS管、同質(zhì)BJT管或異質(zhì)BJT管。
5.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括功率放大器；
所述功率放大器包括：功率放大電路和線性度補償電路；
所述線性度補償電路連接在所述功率放大電路的偏置電路與晶體管放大電路之間，用于對所述功率放大電路的非線性失真進行線性補償；
所述晶體管放大電路為場效應(yīng)管放大電路，所述線性度補償電路包括：第一場效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容和第三電容；
所述第一場效應(yīng)管的柵極連接所述第二電阻的第一端，所述第二電阻的第二端連接所述偏置電路，所述第一場效應(yīng)管的源極連接所述第一電阻的第一端，所述第一電阻的第二端接地，所述第一電容與所述第一電阻并聯(lián)，所述第一場效應(yīng)管的漏極連接所述第三電容的第一端，所述第三電容的第二端連接所述場效應(yīng)管放大電路，所述第二電容的第一端連接所述第一場效應(yīng)管的柵極，所述第二電容的第二端接地。
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