[發明專利]陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 201911013122.3
• 申請日: 2019-10-23
• 公開（公告）號: CN110729236A
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 11205 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃溪;劉芳

本發明提供一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板，陣列基板的制造方法包括：在襯底基板上依次沉積透明導電層和柵極金屬層，并進行第一次光刻工藝，以形成像素電極和柵極；在形成有像素電極和柵極的襯底基板上依次沉積柵極絕緣層、金屬氧化物半導體層以及保護層，并進行第二次光刻工藝，以形成金屬氧化物半導體圖形、保護圖形、源極和漏極與金屬氧化物半導體圖形的接觸過孔、以及漏極與像素電極的接觸過孔；在形成有金屬氧化物半導體圖形和保護圖形的襯底基板上沉積源漏極金屬層，并進行第三光刻工藝，以形成源極和漏極，并使漏極和像素電極電連接。本發明能夠減少光刻工藝過程的次數，工藝簡單，制作成本低。

技術領域

本發明涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板。

背景技術

隨著顯示技術的發展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄、無輻射等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、筆記本電腦等各種消費性電子產品中，成為顯示裝置中的主流。液晶顯示面板一般由相對設置的陣列基板、彩膜基板以及夾設在陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子層組成。通過在陣列基板和彩膜基板之間施加驅動電壓，可控制液晶分子旋轉，從而使背光模組的光線折射出來產生畫面。

現有技術提供的陣列基板的制造方法包括六次光刻工藝過程，包括：第一步：在玻璃基板上沉積金屬層，進行第一次光刻工藝，形成柵極；第二步，依次沉積柵極絕緣層和銦鎵鋅氧化物IGZO半導體層，進行第二次光刻工藝，以形成有源島圖形；第三步，沉積刻蝕阻擋層，并進行第三次光刻工藝，以形成刻蝕阻擋圖形；第四步，沉積源漏極金屬層，并進行第四次光刻工藝，以形成源極和漏極；第五步，沉積鈍化層和平坦化層，并進行第五次光刻工藝，以形成導電過孔；第六步，沉積透明導電薄膜，并進行第六次光刻工藝，以形成像素電極以及導電過孔和像素電極的連通圖形。

上述現有技術提供的六次光刻工藝過程，工藝復雜，制作成本高。

發明內容

本發明提供一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板，能夠減少光刻工藝過程的次數，工藝簡單，制作成本低。

第一方面，本發明提供一種陣列基板的制造方法，包括：在襯底基板上依次沉積透明導電層和柵極金屬層，并進行第一次光刻工藝，以形成像素電極和柵極；在形成有像素電極和柵極的襯底基板上依次沉積柵極絕緣層、金屬氧化物半導體層以及保護層，并進行第二次光刻工藝，以形成金屬氧化物半導體圖形、保護圖形、源極和漏極與金屬氧化物半導體圖形的接觸過孔、以及漏極與像素電極的接觸過孔；在形成有金屬氧化物半導體圖形和保護圖形的襯底基板上沉積源漏極金屬層，并進行第三光刻工藝，以形成源極和漏極，并使漏極和像素電極電連接。

第二方面，本發明提供一種陣列基板，包括襯底基板、像素電極、柵極、透明導電圖形、柵極絕緣層、金屬氧化物半導體圖形、源極、漏極、以及保護圖形，像素電極設置在襯底基板上，透明導電圖形和像素電極設置在同層，柵極設置在透明導電圖形之上，柵極絕緣層覆蓋在設有柵極和像素電極的襯底基板上，金屬氧化物保護圖形和保護圖形依次設置在柵極絕緣層上，源極和漏極的至少部分結構設置在金屬氧化物半導體圖形上，漏極與像素電極電連接，且像素電極和柵極在同一次光刻工藝中形成。

第三方面，本發明提供一種顯示面板，包括彩膜基板、液晶層和上述的陣列基板，液晶層夾設在彩膜基板和陣列基板之間。