[發(fā)明專利]一種電流舵DAC電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911012308.7 | 申請日: | 2019-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN112702063B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張識博;尤勇;劉軍 | 申請(專利權)人: | 華潤微集成電路(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | H03M1/66 | 分類號: | H03M1/66;H05B45/36;H05B45/37 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電流 dac 電路 | ||
1.一種電流舵DAC電路,其特征在于,所述電流舵DAC電路包括:
邏輯控制電路,用于根據(jù)電壓脈沖信號產(chǎn)生一N位二進制碼,并在RESET信號的控制下進行復位操作;
二進制碼DAC轉換電路,連接于所述邏輯控制電路,用于根據(jù)參考電壓產(chǎn)生一基準電流,并將所述基準電流按比例鏡像至N條電流支路,通過所述N位二進制碼分別控制N條電流支路的N個開關管以產(chǎn)生電壓輸出;同時通過開關信號控制調節(jié)支路的開關管,以產(chǎn)生一調節(jié)電壓加至所述二進制碼DAC轉換電路的輸出端,利用所述調節(jié)電壓拓寬所述二進制碼DAC轉換電路輸出電壓的調節(jié)范圍;
比較電路,連接于所述二進制碼DAC轉換電路和所述邏輯控制電路,用于根據(jù)所述輸出電壓和預設電壓的比較結果,產(chǎn)生所述RESET信號和所述開關信號。
2.根據(jù)權利要求1所述的電流舵DAC電路,其特征在于,所述邏輯控制電路包括:N個串聯(lián)的D觸發(fā)器,其中N個串聯(lián)D觸發(fā)器的輸入端接入所述電壓脈沖信號,N個D觸發(fā)器的輸出端用于產(chǎn)生所述N位二進制碼,N個D觸發(fā)器的復位端接入所述比較電路輸出的所述RESET信號。
3.根據(jù)權利要求1所述的電流舵DAC電路,其特征在于,所述二進制碼DAC轉換電路包括:
運算放大器,用于根據(jù)所述參考電壓產(chǎn)生所述基準電流;
電流支路控制模塊,連接于所述運算放大器,包括N條電流支路,用于將所述基準電流按比例鏡像至N條電流支路,并通過所述N位二進制碼分別控制N條電流支路的N個開關管,以根據(jù)導通的電流支路產(chǎn)生一支路總電流;
調節(jié)模塊,連接于所述運算放大器,包括至少一條調節(jié)支路,用于根據(jù)所述開關信號控制所述調節(jié)支路的開關管,以產(chǎn)生一調節(jié)電流;
電壓輸出模塊,連接于所述電流支路控制模塊和所述調節(jié)模塊,用于根據(jù)所述支路總電流產(chǎn)生一電壓輸出,同時根據(jù)所述調節(jié)電流產(chǎn)生一調節(jié)電壓,以將所述調節(jié)電壓加至所述電壓輸出模塊的輸出端。
4.根據(jù)權利要求3所述的電流舵DAC電路,其特征在于,所述運算放大器包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管及第一電阻,所述第一PMOS管的源極端接入電源電壓,所述第一PMOS管的漏極端連接于所述第一PMOS管的柵極端、所述第二PMOS管的柵極端及所述第一NMOS管的漏極端,所述第二PMOS管的源極端接入電源電壓,所述第二PMOS管的漏極端連接于所述第二NMOS管的漏極端及所述第四NMOS管的柵極端,所述第一NMOS管的柵極端接入?yún)⒖茧妷海龅谝籒MOS管的源極端連接于所述第二NMOS管的源極端及所述第三NMOS管的漏極端,所述第二NMOS管的柵極端連接于所述第四NMOS管的源極端及所述第一電阻的一端,所述第三NMOS管的柵極端接入第一偏置電壓,所述第三NMOS管的源極端接地,所述第三PMOS管的源極端接入電源電壓,所述第三PMOS管的漏極端連接于所述第三PMOS管的柵極端及所述第四NMOS管的漏極端,并作為所述運算放大器的輸出端,所述第一電阻的另一端接地。
5.根據(jù)權利要求3所述的電流舵DAC電路,其特征在于,所述電流支路控制模塊包括:第四PMOS管、第五PMOS管、第五NMOS管、N個NMOS電流管及N個NMOS開關管,所述第四PMOS管的源極端接入電源電壓,所述第四PMOS管的柵極端連接于所述運算放大器的輸出端,所述第四PMOS管的漏極端連接于所述第五NMOS管的漏極端,所述第五NMOS管的源極端接地,所述第五NMOS管的柵極端連接于所述第五NMOS管的漏極端及N個NMOS電流管的柵極端,同時形成第二偏置電壓,N個NMOS電流管的源極端均接地,N個NMOS電流源的漏極端對應連接于N個NMOS開關管的源極端,N個NMOS開關管的柵極端對應接入所述N位二進制碼,N個NMOS開關管的漏極端連接于所述第五PMOS管的漏極端,所述第五PMOS管的源極端接入電源電壓,所述第五PMOS管的柵極端連接于所述第五PMOS管的漏極端,同時作為所述電流支路控制模塊的輸出端;其中N個NMOS電流管和N個NMOS開關管對應形成N條電流支路,且每條電流支路的NMOS電流管包括2n-1個并聯(lián)的NMOS管,n為對應NMOS管所在電流支路在N條電流支路中的排序。
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