[發明專利]半導體器件有效
| 申請號: | 201911011635.0 | 申請日: | 2019-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN111696594B | 公開(公告)日: | 2023-09-05 |
| 發明(設計)人: | 李釉鐘 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/10 | 分類號: | G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人: | 許偉群;阮愛青 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件,包括:
驅動控制電路,其被配置為基于鎖存命令來產生預驅動控制信號和驅動控制信號,并且被配置為基于模式鎖存命令來產生模式驅動控制信號;以及
寫入控制電路,其被配置為將基于所述預驅動控制信號和所述驅動控制信號而從通過數據焊盤輸入的數據產生的驅動數據儲存在單元陣列中,并且被配置為將基于所述模式驅動控制信號而被驅動至預定邏輯電平的所述驅動數據儲存在所述單元陣列中。
2.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,在基于所述預驅動控制信號和所述驅動控制信號而從通過所述數據焊盤輸入的數據產生所述驅動數據之后,基于所述模式驅動控制信號而將所述驅動數據驅動至所述預定邏輯電平。
3.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,由所述寫入控制電路來順序地執行基于所述預驅動控制信號和所述驅動控制信號而產生所述驅動數據以及基于所述模式驅動控制信號而產生達到所述預定邏輯電平的所述驅動數據。
4.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述驅動控制電路包括:
預驅動控制信號發生電路,其被配置為在產生所述鎖存命令時產生所述預驅動控制信號;
驅動控制信號發生電路,其被配置為在產生所述鎖存命令時產生所述驅動控制信號;以及
模式驅動控制信號發生電路,其被配置為在產生所述模式鎖存命令時產生所述模式驅動控制信號。
5.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述寫入控制電路包括:
預驅動器,其被配置為在產生所述預驅動控制信號時基于所述數據來驅動預數據;以及
驅動器,其被配置為在產生所述驅動控制信號或所述模式驅動控制信號時基于所述預數據來驅動所述驅動數據。
6.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述鎖存命令是通過在寫入操作期間鎖存寫入命令而產生的,所述寫入操作將從所述數據產生的所述驅動數據儲存在所述單元陣列中。
7.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述模式鎖存命令是通過在模式寫入操作期間鎖存模式寫入命令而產生的,所述模式寫入操作將被驅動至預定邏輯電平的所述驅動數據儲存在所述單元陣列中。
8.根據權利要求1所述的半導體器件,還包括鎖存命令發生器,其被配置為基于寫入脈沖、移位寫入脈沖和模式輸入標志來從寫入命令和模式寫入命令產生所述鎖存命令和所述模式鎖存命令。
9.根據權利要求8所述的半導體器件,
其中,所述寫入命令是在寫入操作期間產生的,所述寫入操作將從所述數據產生的所述驅動數據儲存在所述單元陣列中;以及
其中,所述模式寫入命令是在模式寫入操作期間產生的,所述模式寫入操作將被驅動至預定邏輯電平的所述驅動數據儲存在所述單元陣列中。
10.根據權利要求9所述的半導體器件,其中,所述寫入脈沖是在所述寫入操作或所述模式寫入操作期間產生的。
11.根據權利要求10所述的半導體器件,其中,通過將所述寫入脈沖移位寫入潛伏時間來產生所述移位寫入脈沖。
12.根據權利要求9所述的半導體器件,其中,所述模式輸入標志是在所述模式寫入操作期間產生的。
13.根據權利要求8所述的半導體器件,其中,所述鎖存命令發生器包括鎖存命令管道,所述鎖存命令管道被配置為基于從所述寫入脈沖產生的輸入控制信號來鎖存所述寫入命令并且被配置為基于從所述移位寫入脈沖產生的輸出控制信號來輸出被鎖存的寫入命令作為所述鎖存命令。
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