[發(fā)明專利]一種二氧化鈦薄膜電極及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911010347.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110783111A | 公開(公告)日: | 2020-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曾慶意;常晟;胡春;王銘麒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01G9/20 | 分類號(hào): | H01G9/20;H01G9/042;C01B3/04;C25B1/04;C25B11/06;C23C18/12 |
| 代理公司: | 44202 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 顏希文 |
| 地址: | 510006 廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二氧化鈦薄膜 電極 光電池 光陽極 降解 制備方法和應(yīng)用 單晶硅電池片 硫酸鈉水溶液 電解質(zhì) 空穴 陰極 光催化性能 光生載流子 混合溶液中 可見光響應(yīng) 水中有機(jī)物 鈦酸四丁酯 熱處理 額外提供 光生電子 三氯化銻 鹽酸溶液 有效抑制 輻照 氫氣 鉑電極 太陽光 有機(jī)物 浸沒 沖洗 冷卻 復(fù)合 | ||
1.一種二氧化鈦薄膜電極的制備方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(1)將三氯化銻和鈦酸四丁酯溶解在鹽酸溶液中得到混合溶液A;
(2)在密閉的反應(yīng)容器中將FTO導(dǎo)電玻璃浸沒在所述混合溶液A中,然后在150~180℃下反應(yīng)4~8h;
(3)冷卻后用去離子水沖洗步驟(2)處理后的FTO導(dǎo)電玻璃,干燥后在400~500℃熱處理2~6h,得到所述二氧化鈦薄膜電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦薄膜電極的制備方法,其特征在于,所述混合溶液A中三氯化銻和鈦酸四丁酯的摩爾比為1:8~9。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦薄膜電極的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)中,鹽酸溶液的質(zhì)量濃度為15%~20%,所述混合溶液A中,三氯化銻的濃度為4~5mmol/L。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦薄膜電極的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)中,在170℃下反應(yīng)6h,所述步驟(3)中,在500℃熱處理4h,所述密閉的反應(yīng)容器為具有聚四氟乙烯內(nèi)襯的高壓反應(yīng)釜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦薄膜電極的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)中,干燥的方式為:80℃干燥3~7h。
6.一種如權(quán)利要求1-5任一所述方法制備得到的二氧化鈦薄膜電極。
7.一種光陽極,其特征在于,所述光陽極包括單晶硅電池片和如權(quán)利要求6所述的二氧化鈦薄膜電極,所述單晶硅電池片的反面上的正極和如權(quán)利要求6所述的二氧化鈦薄膜電極的正面通過導(dǎo)線A連接,所述導(dǎo)線A連接的方式為焊接或者導(dǎo)電銀膠粘結(jié),所述單晶硅電池片的反面上的負(fù)極上連接有導(dǎo)線B,所述單晶硅電池片的正面和如權(quán)利要求6所述的二氧化鈦薄膜電極的反面疊合在一起,如權(quán)利要求6所述的二氧化鈦薄膜電極的側(cè)面、以及所述單晶硅電池片的反面和側(cè)面涂覆有絕緣環(huán)氧樹脂涂層。
8.一種光電池,其特征在于,所述光電池的陽極為如權(quán)利要求7所述的光陽極,所述光電池的陰極為鉑電極,所述光電池的電解質(zhì)為0.1~0.5M的硫酸鈉水溶液。
9.一種降解有機(jī)物的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(Ⅰ)將鉑電極和如權(quán)利要求7所述的光陽極保持一定距離平行浸在0.1~0.5M的硫酸鈉水溶液中,將鉑電極和如權(quán)利要求7所述的光陽極在硫酸鈉水溶液外用導(dǎo)線連接;
(Ⅱ)將有機(jī)污染物投入到步驟(Ⅰ)所述的硫酸鈉水溶液中;
(Ⅲ)用光照射如權(quán)利要求7所述的光陽極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,步驟(3)中所述光的波長為420nm~1200nm,所述光的強(qiáng)度為100mW cm-2,所述有機(jī)物包括2-氯苯酚、甲基橙、亞甲基藍(lán)、羅丹明B、阿特拉津、環(huán)丙沙星、雙酚A、以及二氯苯氧乙酸中的至少一種。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣州大學(xué),未經(jīng)廣州大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911010347.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





