[發明專利]像素組以及圖像傳感器在審
| 申請號: | 201911005692.8 | 申請日: | 2019-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN111180475A | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 謝志峰 | 申請(專利權)人: | 芯盟科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤 |
| 地址: | 314400 浙江省嘉興市海寧市海*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 以及 圖像傳感器 | ||
本發明提供了一種像素組以及圖像傳感器,所述像素組包括:一浮置擴散區:環繞所述浮置擴散區放射狀設置的六個感光區,所述六個感光區的外邊沿輪廓共同構成一正六邊形;設置于所述浮置擴散區和每個感光區之間的六個傳輸柵;以及用于隔離六個感光區的隔離區。
技術領域
本發明涉及半導體器件制造領域,尤其涉及一種像素組以及圖像傳感器。
背景技術
圖像傳感器中的像素是陣列排布的。附圖1A與附圖1B所示是現有技術中的像素排布的結構示意圖,包括感光區10,傳輸柵11、浮置擴散區12、以及P型隔離區13。其中附圖1A是四個感光區10共用一個浮置擴散區12,附圖1B是兩個感光區10共用一個浮置擴散區12。從上圖中可以看出,如果要增加圖像傳感器像素,其方法只能是擴大像素區總面積,或者縮小單顆像素面積。擴大像素區總面積會增加芯片的尺寸,縮小單顆像素面積會影響單顆像素的成像質量。很難做到兩全其美的效果。因此,如何在不縮小單顆像素面積的基礎上增加像素數量,是現有技術需要解決的問題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是,提供一種像素組以及圖像傳感器,能夠在不縮小單顆像素面積的基礎上增加像素數量。
為了解決上述問題,本發明提供了一種像素組,包括:一浮置擴散區:環繞所述浮置擴散區放射狀設置的六個感光區,所述六個感光區的外邊沿輪廓共同構成一正六邊形;設置于所述浮置擴散區和每個感光區之間的六個傳輸柵;以及用于隔離六個感光區的隔離區。
可選的,所述感光區和浮置擴散區為N型摻雜,所述隔離區為P型摻雜。
可選的,所述浮置擴散區為正六邊形。
一種圖像傳感器,包括多個上像素組。
可選的,進一步包括三個透鏡,所述六個感光區中,每相鄰的兩個感光區共用一個透鏡。
可選的,進一步包括一個透鏡,供所述六個感光區共用。
可選的,所述像素組呈蜂窩狀排布。
可選的,所述像素組呈矩陣排布。
上述像素組通過六邊形排布的方式,獲得了6個感光區,在不增加總面積的情況下,獲得了更多的像素。
附圖說明
附圖1A與附圖1B所示是現有技術中的像素排布的結構示意圖。
附圖2所示是本發明一具體實施方式所述像素組的結構示意圖;附圖3是附圖2所示像素組的等效電路圖。
附圖4A與附圖4B所示是本發明具體實施方式對透鏡進行排布優化的結構示意圖。
附圖5A與附圖5B所示是本發明具體實施方式所述像素傳感器的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明提供的像素組以及圖像傳感器的具體實施方式做詳細說明。
附圖2所示是本發明一具體實施方式所述像素組2的結構示意圖,包括感光區20、浮置擴散區21、傳輸柵22以及隔離區24。
所述浮置擴散區21為半導體摻雜形成。環繞所述浮置擴散區放射狀設置六個感光區20,所述六個感光區20的外邊沿輪廓共同構成一正六邊形。該外邊沿輪廓即為所述像素組2的形狀,正六邊形的形狀有利于所述像素組2在平面方向無縫延展。在所述浮置擴散區21和每個感光區20之間設置傳輸柵22,共有六個。傳輸柵22與感光區20和浮置擴散區21構成一感光晶體管結構。隔離區24采用與感光區20不同的摻雜方式,用于隔離六個感光區20與浮置擴散區21。附圖3是附圖2所示像素組2的等效電路圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





