[發明專利]具有檢光結構的電激發光子晶體面射型激光元件

有效

• 申請號: 201911005292.7
• 申請日: 2019-10-22
• 公開（公告）號: CN112260061B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 林國瑞;陳俞諶
• 申請（專利權）人: 智林企業股份有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/20;H01S5/02257
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 侯奇慧

一種具有檢光結構的電激發光子晶體面射型激光元件，包含：多個空氣孔洞，各空氣孔洞藉由大小比例及位置變化，形成一具有主結構與次結構的光子晶體結構，并以次結構的引光通道的引光比例至檢光結構后，形成一可讀取的檢光信號，進而具有檢光信號的強弱可得知光子晶體結構所面射出激光的功率比例，因此自動功率控制電路利用檢光結構的檢光信號的強弱，從而可回授控制光子晶體結構所面射出激光的功率比例，進而具有自動功率控制面射型激光。

技術領域

本發明有關一種具有檢光結構的電激發光子晶體面射型激光元件，其在光子晶體結構制作引光通道至檢光結構，并以檢光結構可偵測激光在引光通道的引光比例，亦可得知光子晶體結構所面射出激光的功率比例。

背景技術

如圖1A、圖1B所示，一般自動功率控制(Automatic Power Control,APC)激光模塊40，于一激光二極管元件41前傾斜設置一反射鏡42，該反射鏡42可供激光光通過并可反射部分激光，而于激光的反射路徑中設置一光二極管(Photodiode)43，該光二極管43回饋光功率至控制該激光二極管元件41的自動功率控制電路44，以維持激光輸出功率的穩定；然而，因該激光二極管元件41、該反射鏡42及該光二極管43利用一前端設置一透鏡451的封裝外殼45予以封裝，該封裝外殼45的長度會因該反射鏡42的設置而必須增長，且設置該反射鏡42的傾斜角(反射路徑)可能需要耗費長時間的調整。

圖2所示，其公開了中國臺灣專利案第I303505號，為一種面射型激光50，包含：一n－摻雜的砷化鎵(GaAs)基材51，一n－摻雜的第一鏡面結構52形成在GaAs基材51上；一下披覆層53沉積在該第一鏡面結構52上；一主動層54形成在下披覆層53上；一上披覆層55形成在主動層54上；一第二鏡面結構56形成在上披覆層55上,該第二鏡面結構56上形成一p型電極57，而基材51底面則形成一n型電極58；然而，該面射型激光50直接面射出激光，并無法自動控制激光的功率比例。

由于自動功率控制激光模塊與面射型激光無法相互整合。因此，本案發明人有鑒于上揭問題點，乃構思以光子晶體(Photonic crystal,PC)來解決面射型激光與自動功率控制激光模塊無法相互整合的問題，為本發明所欲解決的課題。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種具有檢光結構的電激發光子晶體面射型激光元件，其直接從磊晶結構最上方往內部蝕刻來制作光子晶體，并在光子晶體結構制作引光通道至檢光結構，該檢光結構可偵測激光在引光通道的引光比例，從而形成一可讀取的檢光信號，進而具有檢光信號的強弱可得知光子晶體結構所面射出激光的功率比例的功效增進。

本發明的又一目的在于提供一種具有檢光結構的電激發光子晶體面射型激光元件，其自動功率控制電路利用檢光結構的檢光信號的強弱，從而可回授控制光子晶體結構所面射出激光的功率比例，進而具有自動功率控制面射型激光的功效增進。