[發(fā)明專利]一種圖形化復(fù)合襯底、制備方法及LED外延片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911005180.1 | 申請日： | 2019-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN112701197A | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張劍橋;陸前軍;康凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 東莞市中圖半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 圖形 復(fù)合 襯底 制備 方法 led 外延 | ||
1.一種圖形化復(fù)合襯底，其特征在于，包括：
圖形化基板，所述圖形化基板表面蝕刻有微結(jié)構(gòu)；
單晶三氧化二鋁薄膜，所述單晶三氧化二鋁薄膜均勻覆蓋在所述微結(jié)構(gòu)上；
所述圖形化基板的蝕刻速率高于三氧化二鋁的蝕刻速率，和/或所述圖形化基板的熱導(dǎo)率高于三氧化二鋁的熱導(dǎo)率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化復(fù)合襯底，其特征在于，所述單晶三氧化二鋁薄膜的厚度在50-1000nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化復(fù)合襯底，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)包括圓錐體、多邊形椎體、橢圓錐體、圓柱、圓臺中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化復(fù)合襯底，其特征在于，所述圖形化基板的材質(zhì)為氧化物、氮化物、碳化物和金屬單質(zhì)中的至少一種。
5.一種圖形化復(fù)合襯底的制備方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板的蝕刻速率高于三氧化二鋁的蝕刻速率，和/或所述基板的熱導(dǎo)率高于三氧化二鋁的熱導(dǎo)率；
在所述基板表面蝕刻微結(jié)構(gòu)，形成圖形化基板；
在所述圖形化基板表面形成金屬鋁薄膜，所述金屬鋁薄膜均勻覆蓋在所述微結(jié)構(gòu)上；
對所述金屬鋁薄膜進行氧化熱處理，將所述金屬鋁薄膜轉(zhuǎn)化為單晶三氧化二鋁薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖形化復(fù)合襯底的制備方法，其特征在于，對所述金屬鋁薄膜進行氧化熱處理，將所述金屬鋁薄膜轉(zhuǎn)化為單晶三氧化二鋁薄膜，包括：
對所述金屬鋁薄膜進行低溫氧化熱處理，形成多晶三氧化二鋁薄膜；
對所述多晶三氧化二鋁薄膜進行高溫氧化熱處理，形成單晶三氧化二鋁薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖形化復(fù)合襯底的制備方法，其特征在于，所述低溫氧化熱處理的溫度在200-500℃，時間為12-36h。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖形化復(fù)合襯底的制備方法，其特征在于，所述高溫氧化熱處理的溫度在1000-1500℃，時間為6-36h。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖形化復(fù)合襯底的制備方法，其特征在于，在所述基板表面蝕刻微結(jié)構(gòu)，形成圖形化基板，包括：
在所述基板表面涂覆聚合物膠層；
采用光刻工藝或納米壓印工藝對所述聚合物膠層進行圖案化，形成聚合物掩膜；
根據(jù)所述聚合物掩膜，對所述基板蝕刻，在所述基板表面形成微結(jié)構(gòu)。
10.一種LED外延片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4任一項所述的圖形化復(fù)合襯底。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東莞市中圖半導(dǎo)體科技有限公司，未經(jīng)東莞市中圖半導(dǎo)體科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911005180.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
