[發(fā)明專利]具有電光襯底的半導體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911004628.8 | 申請日： | 2019-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN111105822B | 公開（公告）日： | 2023-08-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | O·J·貝希爾 | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | G11C7/10 | 分類號： | G11C7/10;G11C5/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 電光 襯底 半導體 裝置 | ||
本文中描述具有電光襯底的半導體裝置。在一個實施例中，存儲器裝置包含由電光襯底承載的多個存儲器。所述電光襯底可包含電路板及所述電路板上的光學布線層。所述存儲器可(a)電耦合到所述電路板且(b)光學耦合到所述光學布線層。在一些實施例中，所述光學布線層是聚合物波導。
本申請案含有與奧馬爾J.貝希爾(Omar?J.Bchir)的標題為“具有光子集成電路(PIC)芯片的半導體封裝(SEMICONDUCTOR?PACKAGES?HAVING?PHOTON?INTEGRATED?CIRCUIT(PIC)CHIPS)”的同時申請的美國專利申請案相關(guān)的標的物。所述相關(guān)申請案讓與美光科技公司(Micron?Technology，Inc.)且由代理人檔案號010829-9351.US00識別，其揭示內(nèi)容以引用方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般來說涉及具有光學接口的半導體裝置，且更特定來說涉及包含電光襯底的存儲器裝置。
背景技術(shù)
存儲器封裝或模塊通常包含安裝在襯底上的多個存儲器裝置。存儲器裝置廣泛用于存儲與各種電子裝置(例如，計算機、無線通信裝置、相機、數(shù)字顯示器等等)相關(guān)的信息。信息是通過將存儲器單元的不同狀態(tài)編程來存儲。存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)RAM(DRAM)、同步動態(tài)RAM(SDRAM)及其它。
在一些例子中，例如在數(shù)據(jù)中心或高性能計算機中，許多存儲器裝置操作地耦合在一起(例如，在服務器機架中)。更具體來說，個別存儲器裝置可經(jīng)由導電(例如，銅)電纜或跡線電耦合在一起。在一些例子中，導電電纜或跡線進一步耦合到將電信號轉(zhuǎn)換成光學信號的光學收發(fā)器，光學信號可以高速度及帶寬(舉例來說)在數(shù)據(jù)中心中的不同位置之間路由。此些光學收發(fā)器可相對昂貴。然而，在高數(shù)據(jù)帶寬下，導電電纜或跡線中的電信號可僅傳播小距離直到需要額外中繼器芯片以提升信號。此些中繼器芯片消耗額外電力—增加操作數(shù)據(jù)中心、高性能計算機或包含許多互連存儲器裝置的其它裝置的成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面提供一種存儲器裝置，其包括：電光襯底；及多個存儲器，其由所述電光襯底承載，其中所述存儲器光學耦合且電耦合到所述電光襯底，且其中所述存儲器經(jīng)配置以—經(jīng)由所述電光襯底接收、發(fā)射或既接收又發(fā)射光學信號，及經(jīng)由所述電光襯底接收電力。
本發(fā)明的另一方面提供一種雙列直插式存儲器模塊(DIMM)，其包括：襯底，其包含電路板及所述電路板上的光學布線層；及多個存儲器，其(a)電耦合到所述電路板且(b)光學耦合到所述光學布線層。
本發(fā)明的另一方面提供一種形成存儲器裝置的方法，其包括：在電襯底上形成光學層；將多個存儲器電耦合到所述電襯底；及將所述多個存儲器光學耦合到所述光學層。
附圖說明
可參考以下圖式更好地理解本發(fā)明技術(shù)的許多方面。所述圖式中的組件未必按比例。而是，重點在于清晰地圖解說明本發(fā)明技術(shù)的原理。
圖1A及1B分別是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)的實施例配置的半導體封裝的部分示意性橫截面?zhèn)纫晥D及俯視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)的另一實施例配置的半導體封裝的部分示意性俯視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)的另一實施例配置的半導體封裝的部分示意性俯視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)的實施例配置的存儲器裝置的前視圖。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)的另一實施例配置且具有電光襯底的存儲器裝置的部分示意性前視圖。
圖5B是圖5A中展示的電光襯底的一部分的橫截面?zhèn)纫晥D。
圖6是包含根據(jù)本發(fā)明技術(shù)的實施例配置的半導體封裝及/或存儲器裝置的系統(tǒng)的示意圖。
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