[發明專利]三維存儲器的制備方法

有效

• 申請號: 201911002417.0
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN110854123B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 白靖宇;楊永剛
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本申請提供一種三維存儲器的制備方法，所述制備方法包括：提供半導體結構，所述半導體結構包括襯底和堆疊結構，所述襯底具有堆疊面，所述堆疊結構設于所述堆疊面上；在所述半導體結構具有表面，在所述表面的外側形成第一掩模層，其中，所述第一掩模層的材料包括多晶硅；以及在位于所述堆疊面一側的所述第一掩模層上形成第二掩模層，其中，所述第二掩模層的材料包括碳。本申請的制備方法，解決了現有技術的三維存儲器件的制備方法在制備過程中容易因電弧放電而導致三維存儲器件表面受損，影響產品良率的問題。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種三維存儲器的制備方法。

背景技術

三維(3Dimension,3D)存儲器是一種將存儲單元三維地布置在襯底之上的存儲設備，其具有集成密度高、存儲容量大以及功耗低等優點，從而在電子產品中得到了廣泛的應用。但是，現有的三維存儲器件的制備方法在制備過程中容易因電弧放電而導致三維存儲器件表面受損，影響產品良率。

發明內容

鑒于此，本發明實施例提供了一種三維存儲器的制備方法，解決了現有技術的三維存儲器件的制備方法在制備過程中容易因電弧放電而導致三維存儲器件表面受損，影響產品良率的問題。

本申請實施例提供一種三維存儲器的制備方法，所述制備方法包括：

提供半導體結構，所述半導體結構包括襯底和堆疊結構，所述襯底具有堆疊面，所述堆疊結構設于所述堆疊面上；

在所述半導體結構具有表面，在所述表面的外側形成第一掩模層，其中，所述第一掩模層的材料包括多晶硅；以及

在位于所述堆疊面一側的所述第一掩模層上形成第二掩模層，其中，所述第二掩模層的材料包括碳。

其中，在所述“在所述表面的外側形成第一掩模層”之前，所述制備方法包括：

在所述半導體結構的所述表面形成第三掩模層，所述第三掩模層相較于所述第一掩模層鄰近所述襯底設置。

其中，所述第三掩模層的材料為氧化物。

其中，所述第三掩模層包括第一子膜層和第二子膜層，所述“在所述半導體結構的所述表面形成第三掩模層”包括：

在所述半導體結構的所述表面依次形成所述第一子膜層和第二子膜層，其中，所述第二子膜層的材料為氧化物。

其中，所述“在所述表面的外側形成第一掩模層”包括:

將所述半導體結構放入化學氣相沉積裝置中，所述第一掩模層通過化學氣相沉積法沉積于所述第三掩模層背向所述襯底的表面，其中，所述化學氣相沉積裝置為爐管。

其中，在所述“在位于所述堆疊面一側的所述第一掩模層上形成第二掩模層”之后，所述制備方法包括：

在所述第二掩模層背離所述第一掩模層的表面形成光阻反射層。

其中，在所述“在所述第二掩模層背離所述第一掩模層的表面形成光阻反射層”之后，所述制備方法還包括：

在所述光阻反射層背離所述第二掩模層的表面形成光阻層。

其中，在所述“在所述光阻反射層背離所述第二掩模層的表面形成光阻層”之后，所述制備方法還包括：

對所述光阻層進行光罩，形成光阻圖案；以及

在所述半導體結構上形成溝道孔。

其中，在所述“在所述半導體結構上形成溝道孔”之后，所述制備方法包括：

移除所述光阻層。

其中，在所述“移除所述光阻層”之后，所述制備方法包括：

依次移除所述第二掩模層和所述第一掩模層。