[發明專利]橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件

有效

• 申請號: 201911001601.3
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN112768521B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 祝靖;朱桂闖;何乃龍;張森;李少紅;孫偉鋒;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 虞凌霄

1.一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，包括：

漂移區，具有第一導電類型；

第一體區，設于所述漂移區上，具有第二導電類型；所述第一導電類型和第二導電類型為相反的導電類型；

第一導電類型區，設于所述第一體區內；

第二體區，設于所述第一導電類型區內，具有第二導電類型；

源極區，設于所述第二體區內，具有第一導電類型；

接觸區，設于所述第一體區內、所述第一導電類型區外，具有第二導電類型。

2.根據權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括設于所述漂移區上的漏極區。

3.根據權利要求2所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括設于所述漂移區上的緩沖區，所述緩沖區具有第一導電類型，所述緩沖區設于所述漂移區內。

4.根據權利要求2或3所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括設于所述源極區和漏極區之間的柵極。

5.根據權利要求4所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括設于所述源極區和漏極區之間的場氧層，所述柵極包括從所述源極區上延伸至所述場氧層上的多晶硅柵。

6.根據權利要求5所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第一導電類型是N型，所述第二導電類型是P型。

7.根據權利要求6所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述器件等效于具有第一MOS管、第二MOS管、體二極管及寄生NPN三極管，所述第一MOS管和第二MOS管的柵極包括所述多晶硅柵，所述第一MOS管的源極和第二MOS管的漏極包括所述第一導電類型區，所述第一MOS管的漏極包括所述漏極區，所述第二MOS管的源極包括所述源極區，所述體二極管的陰極包括所述漂移區、陽極包括所述第一體區，所述寄生NPN三極管的基極包括所述第一體區、集電極包括所述漂移區、發射極包括所述第一導電類型區。

8.根據權利要求3所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述漂移區和緩沖區的摻雜濃度低于所述源極區和漏極區的摻雜濃度。

9.根據權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括第二導電類型的襯底和所述襯底上的埋氧層，所述漂移區設于所述埋氧層上。

10.根據權利要求1所述的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第一體區的摻雜濃度低于所述接觸區的摻雜濃度。