[發(fā)明專利]太陽能面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911000455.2 | 申請日: | 2016-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN110828592B | 公開(公告)日: | 2023-04-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 拉特森·莫拉德;吉拉德·阿爾莫吉;塔米爾·蘭斯;內森·貝克特 | 申請(專利權)人: | 邁可晟太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/044 | 分類號: | H01L31/044;H01L31/05;H02S20/25;H02S40/34;H02S40/36 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人: | 陳煒 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能 面板 | ||
1.一種太陽能模塊,包括:
多個超級電池,所述多個超級電池被布置成兩個或更多個物理上平行的列,每個超級電池包括多個晶體硅太陽能電池,所述多個晶體硅太陽能電池的布置方式為:相鄰晶體硅太陽能電池的相鄰邊重疊并彼此導電接合以將所述晶體硅太陽能電池串聯(lián)地電連接;
多個迂回電互連件,所述多個迂回電互連件被布置在垂直于所述列的一行或多行上,以沿著所述一行或多行將兩個或更多個晶體硅太陽能電池的背面上的金屬化電連接;
其中,所述多個迂回電互連件在所述多個超級電池的兩個或更多個之間提供迂回電流通路,以繞過提供的電流不足以支持所述太陽能模塊的正常工作的一個或多個晶體硅太陽能電池,并且
其中,所述太陽能模塊還包括一個或多個旁路二極管,其電連接在不同對的迂回電互連件之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的太陽能模塊,其中,每個迂回電互連件的長度小于兩列的寬度,并且每個迂回電互連件在每端處導電接合至一對晶體硅太陽能電池中的一個或另一個。
3.根據(jù)權利要求1所述的太陽能模塊,其中,每個迂回電互連件垂直于所述列延伸,以將三列或更多列的晶體硅太陽能電池的背面電連接。
4.根據(jù)權利要求1所述的太陽能模塊,其中,每行迂回電互連件跨所述太陽能模塊的與所述列垂直的寬度,并將所有列電互連。
5.根據(jù)權利要求1所述的太陽能模塊,其中,所述晶體硅太陽能電池的背面上的金屬化包括導電接合到所述多個迂回電互連件中的一個的一個或多個接觸墊。
6.根據(jù)權利要求5所述的太陽能模塊,其中,所述一個或多個接觸墊平行于所述晶體硅太陽能電池的短邊伸長。
7.根據(jù)權利要求1所述的太陽能模塊,其中,所述迂回電互連件沿著所述太陽能模塊以相等間隔彼此間隔開。
8.根據(jù)權利要求1所述的太陽能模塊,其中,所述太陽能模塊還包括一個或多個旁路二極管,其沿著所述多個超級電池中的一個的長度的一部分布置并布置在所述部分的后面。
9.根據(jù)權利要求1所述的太陽能模塊,其中,所述太陽能模塊還包括:
位于接線盒中的一個或多個旁路二極管;以及
一個或多個返回導體,其將所述迂回電互連件中的一個或多個電連接到所述接線盒中的所述一個或多個旁路二極管。
10.一種從太陽能模塊生產(chǎn)電能的方法,包括:
將太陽能模塊暴露在太陽光下,所述太陽能模塊包括被布置成兩列或更多列的多個超級電池,其中每個超級電池包括彼此串聯(lián)地導電接合的多個疊蓋的晶體硅太陽能電池,
其中,所述多個超級電池中的第一超級電池中的第一晶體硅太陽能電池包括第一背接觸墊,并且所述多個超級電池中的第二超級電池中的第二晶體硅太陽能電池包括第二背接觸墊,所述第一背接觸墊和所述第二背接觸墊導電接合到迂回互連件;
將流入所述第一超級電池的電流的至少一部分沿著從所述第一背接觸墊經(jīng)過所述迂回互連件到所述第二背接觸墊的迂回電流通路傳導到所述第二超級電池,以便在所述第一超級電池中的一個或多個其它晶體硅太陽能電池提供的電流不足以支持所述太陽能模塊的正常工作的情況下,繞過所述第一超級電池中的所述一個或多個其它晶體硅太陽能電池,其中所述迂回電流通路不穿過旁路二極管。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法,其中,所述迂回電流通路還穿過所述第二超級電池中的一個或多個串聯(lián)連接的晶體硅太陽能電池到達沿著與所述太陽能模塊的第一端相鄰的行延伸的第一端部互連件,其中,所述第一端部互連件將位于所述第一超級電池和所述第二超級電池兩者的第一端處的晶體硅太陽能電池電互連。
12.根據(jù)權利要求10所述的方法,其中,所述迂回電流通路還穿過返回導體,所述返回導體用于將所述迂回互連件電互連到旁路二極管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





