[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201911000430.2
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN111696980A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 韋維克;陳柏安
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 孫乳筍;湯在彥

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一二極管，包括一陽極端以及一陰極端，其中上述陽極端耦接至一第一節點；

一金屬氧化物半導體場效應晶體管，包括一第一源極/漏極端、一第二源極/漏極端以及一第一柵極端，其中上述第一源極/漏極端耦接至上述陰極端，上述第一柵極端接收一第一控制電壓；以及

一接面場效應晶體管，包括一第三源極/漏極端、一第四源極/漏極端以及一第二柵極端，其中上述第二柵極端接收一第二控制電壓，上述第三源極/漏極端耦接至上述第二源極/漏極端，上述第四源極/漏極端耦接至一第二節點。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述第二柵極端耦接至一接地端，當上述第一節點的電壓超過上述第二節點的電壓時，上述金屬氧化物半導體場效應晶體管根據上述第一控制電壓而導通，并且上述半導體裝置將上述第一節點的電壓提供至上述第二節點。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，當上述第一節點的電壓不超過上述第二節點的電壓時，上述金屬氧化物半導體場效應晶體管根據上述第一控制電壓而不導通，并且上述半導體裝置將上述第一節點以及上述第二節點電性隔離。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，更包括：

一半導體基板，具有一第一導電型；

一埋層，具有一第二導電型；

一第一阱，具有上述第二導電型，且形成于上述埋層之上；

一第一摻雜區，具有上述第二導電型，且形成于上述第一阱之中；

一第二阱，具有上述第二導電型，且形成于上述埋層之上；

一第二摻雜區，具有上述第二導電型，且形成于上述第二阱之中，其中上述第二摻雜區電性連接至上述第一摻雜區；

一第三阱，具有上述第一導電型，形成于上述埋層之上且位于上述第一阱以及上述第二阱之間；

一第三摻雜區，具有上述第二導電型，且形成于上述第三阱中；以及

一第四摻雜區，具有上述第一導電型，且形成于上述第三阱中，其中上述第三摻雜區、上述第四摻雜區以及上述第三阱形成上述二極管。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，上述第三摻雜區為上述二極管的上述陰極端，上述第一摻雜區、上述第二摻雜區以及上述第四摻雜區為上述二極管的上述陽極端。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，更包括：

一第四阱，具有上述第一導電型，且形成于上述半導體基板之中；

一第五摻雜區，具有上述第二導電型，且形成于上述第四阱之中；

一第五阱，具有上述第二導電型，且形成于上述第四阱之中；

一第六摻雜區，具有上述第二導電型，且形成于上述第五阱之中；以及

一柵極結構，形成于上述第四阱以及上述第五摻雜區以及上述第六摻雜區之間，且位于上述第五阱的上方，其中上述柵極結構、上述第五摻雜區以及上述第六摻雜區分別形成上述金屬氧化物半導體場效應晶體管。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，上述柵極結構、上述第五摻雜區以及上述第六摻雜區分別形成上述金屬氧化物半導體場效應晶體管的上述第一柵極端、上述第一源極/漏極端以及上述第二源極/漏極端。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，上述第五摻雜區電性連接至上述第三摻雜區，上述柵極結構接收上述第一控制電壓。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，更包括：

一第六阱，具有上述第二導電型，形成于上述半導體基板之中；

一第七摻雜區，具有上述第二導電型，形成于上述第六阱之中；以及

一第八摻雜區，具有上述第二導電型，形成于上述第六阱之中。