[發(fā)明專利]NLDMOS器件的制造方法及該NLDMOS器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911000287.7
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN110729347A
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發(fā)明（設計）人: 宋亮
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 31211 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 戴廣志

1.一種NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成柵氧化層；

對除第一預定區(qū)域以外的其它區(qū)域的柵氧化層進行去除；

在所述襯底和所述第一預定區(qū)域的柵氧化層上沉積多晶硅層；

對除第二預定區(qū)域和第三預定區(qū)域的其它區(qū)域的柵氧化層和多晶硅層進行去除，在所述第二預定區(qū)域形成第一柵極，在所述第三預定區(qū)域形成第二柵極，所述第一柵極和所述第二柵極的側(cè)壁垂直于所述襯底；

對所述襯底進行SD離子注入，在所述第一柵極和所述第二柵極兩側(cè)的襯底依次形成源極、漏極和源極；

在所述源極、漏極和源極上依次形成接觸孔和引線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成柵氧化層，包括：

通過爐管氧化工藝在所述襯底上形成所述柵氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對除第一預定區(qū)域以外的其它區(qū)域的柵氧化層進行去除，包括：

在所述柵氧化層上涂布光刻膠；

對所述光刻膠除所述第一預定區(qū)域的其它區(qū)域進行曝光；

對所述光刻膠進行顯影，去除所述其它區(qū)域的光刻膠；

對所述其它區(qū)域的柵氧化層進行刻蝕去除。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對所述其它區(qū)域的柵氧化層進行刻蝕去除，包括：

通過濕法刻蝕工藝對所述其它區(qū)域的柵氧化層進行去除，直至所述其它區(qū)域的襯底暴露。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝的反應溶液包括氫氟酸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對除第二預定區(qū)域和第三預定區(qū)域的其它區(qū)域的柵氧化層和多晶硅層進行去除，包括：

在所述多晶硅層上涂布光刻膠；

對所述光刻膠除所述第二預定區(qū)域和所述第三預定區(qū)域的其它區(qū)域進行曝光；

對所述光刻膠進行顯影，去除所述其它區(qū)域的光刻膠；

對所述其它區(qū)域的多晶硅層和柵氧化層進行刻蝕去除。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述對所述其它區(qū)域的多晶硅層和柵氧化層進行刻蝕去除，包括：

通過濕法刻蝕工藝對所述其它區(qū)域的多晶硅層和柵氧化層進行去除，直至所述其它區(qū)域的襯底暴露。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述襯底進行SD離子注入，包括：

對所述第一柵極和所述第二柵極兩側(cè)的襯底進行N型重摻雜離子注入。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一柵極和所述第二柵極之間的間距與所述第一柵極和所述第二柵極之間區(qū)域上方的引線的寬度的差值小于100埃。

10.一種NLDMOS器件，其特征在于，包括：

襯底；

形成于襯底上的第一柵極和第二柵極，所述第一柵極和所述第二柵極的側(cè)壁垂直于所述襯底；

所述第一柵極和所述第二柵極兩側(cè)的襯底依次形成有源極、漏極和源極；

所述源極、漏極和源極上依次形成有接觸孔和引線。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述第一柵極和所述第二柵極之間的間距與所述第一柵極和所述第二柵極之間區(qū)域上方的引線的寬度的差值小于100埃。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述第一柵極和所述第二柵極的外周側(cè)形成有STI結(jié)構(gòu)。