[發(fā)明專利]毫米波天線及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910995132.5
• 申請日: 2019-10-18
• 公開（公告）號: CN110676578B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 于晨武
• 申請（專利權(quán)）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q9/04
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 邢少真

1.一種毫米波天線，其特征在于，所述毫米波天線包括：N層介質(zhì)基板、第一金屬層、第二金屬層、第一輻射貼片、饋電結(jié)構(gòu)和多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述N為大于或等于1的整數(shù)；

所述第一金屬層、所述N層介質(zhì)基板和所述第二金屬層層疊設(shè)置；

所述多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)均穿過所述N層介質(zhì)基板，每個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)均與所述第一金屬層和所述第二金屬層連接，且所述多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)圍成一個介質(zhì)腔體；

所述第一金屬層上設(shè)置有第一通孔，所述第一通孔貫穿所述第一金屬層，所述第二金屬層上設(shè)置有第二通孔，所述第二通孔貫穿所述第二金屬層，所述第一輻射貼片位于所述第一通孔內(nèi)；

所述饋電結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述介質(zhì)腔體內(nèi)，所述饋電結(jié)構(gòu)的一端與所述第一輻射貼片連接，所述饋電結(jié)構(gòu)和所述第一輻射貼片呈L形結(jié)構(gòu)，所述饋電結(jié)構(gòu)與所述第一輻射貼片之間的連接點與所述第一輻射貼片的中心點之間的距離位于第一距離范圍內(nèi)，所述第一距離范圍是指所述介質(zhì)腔體內(nèi)產(chǎn)生的第一諧振頻率的毫米波信號沿所述第一通孔的法線方向輻射時，所述連接點在所述第一輻射貼片的長度方向上相對于所述第一輻射貼片的中心點的偏移范圍；

所述饋電結(jié)構(gòu)的另一端穿設(shè)于所述第二通孔，所述饋電結(jié)構(gòu)用于饋入激勵信號，所述激勵信號用于激勵所述介質(zhì)腔體諧振于所述第一諧振頻率，所述激勵信號還用于激勵所述第一輻射貼片諧振于第二諧振頻率，所述第一通孔的長度為1.5λ，所述第一輻射貼片的長度為0.5λ，所述λ是所述第一諧振頻率的毫米波信號在所述介質(zhì)基板中傳播的波長。

2.如權(quán)利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，所述第一通孔和所述第一輻射貼片均呈矩形結(jié)構(gòu)，且所述第一通孔的長度方向與所述第一輻射貼片的長度方向平行。

3.如權(quán)利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，所述第一距離范圍的最小邊界大于或等于0.1λ，且最大邊界小于或等于0.5λ，所述λ是所述第一諧振頻率的毫米波信號在所述介質(zhì)基板中傳播的波長。

4.如權(quán)利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，所述第一輻射貼片的法向中心線與所述第一通孔的中心線重合。

5.如權(quán)利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，所述多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為直徑相同的金屬化通孔。

6.如權(quán)利要求5所述的毫米波天線，其特征在于，所述多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中任意相鄰兩個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的距離位于第二距離范圍內(nèi)，所述第二距離范圍是指在所述介質(zhì)腔體內(nèi)產(chǎn)生的所述第一諧振頻率的毫米波信號不會在相鄰兩個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間發(fā)生輻射損耗的距離范圍。

7.如權(quán)利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，每層介質(zhì)基板的介質(zhì)損耗角的正切值均小于正切閾值，所述正切閾值是指介質(zhì)基板具有低損耗特性的性能閾值。

8.如權(quán)利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，所述第一諧振頻率和所述第二諧振頻率共同覆蓋22.3GHz～30.3GHz頻率區(qū)間。

9.如權(quán)利要求1-8任一項所述的毫米波天線，其特征在于，所述毫米波天線還包括M層介質(zhì)基板、第三金屬層和第二輻射貼片；

所述M層介質(zhì)基板和所述第三金屬層依次層疊設(shè)置在所述第一金屬層背離所述第二金屬層的一側(cè)，所述多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)還穿過所述第一金屬層和所述M層介質(zhì)基板，每個所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)還與所述第三金屬層連接；

所述第三金屬層上設(shè)置有第三通孔，所述第三通孔貫穿所述第三金屬層，所述第二輻射貼片位于所述第三通孔內(nèi)，所述第二輻射貼片用于在所述第一輻射貼片的耦合饋電激勵下，諧振于第三諧振頻率。

10.如權(quán)利要求9所述的毫米波天線，其特征在于，所述毫米波天線還包括射頻芯片，所述射頻芯片設(shè)置于所述第二金屬層背離所述第一金屬層的一側(cè)，并與所述饋電結(jié)構(gòu)穿設(shè)于所述第二通孔的一端連接。

11.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求1-10任一項所述的毫米波天線。